返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5075 个

  • 逆变电源热销MOS管KIA20N40H 20A 400V优质国产直销-KIA MOS管

    KIA20N40H功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能和换向模式。这些器件非常适用于基于半桥拓扑的高效开关电源、有源功率因数校正。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4309.html         2023-06-20

  • 【半导体光刻工艺】在晶圆上绘制电路-KIA MOS管

    光刻步骤类似于图案绘制的过程。而半导体的生产制造，可以理解为是重复的堆叠和切割。利用光刻工艺，在想要切割的位置绘制图案。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4308.html         2023-06-20

  • 【半导体资讯】IGBT的激光退火工艺-KIA MOS管

    IGBT背面工艺首先是基于已完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理，然后对减薄硅片进行背面离子注入，如N型掺杂P离子、P型掺杂B离子。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4307.html         2023-06-20

  • MOSFET-衬底偏压技术图文详解-KIA MOS管

    当Vg从0V开始上升的时候，p衬底中的多子空穴会被赶离栅区从而留下负电荷（空穴无法移动，实际上是电子的移动，电子从衬底被抽取上来，与p型半导体中的受主杂质例如硼结合，使得共价键饱和，既没有可移动的电子，也没有可移动的空穴）；

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4306.html         2023-06-19

  • MOS管-衬底偏置效应图文详解分享-KIA MOS管

    衬底偏置效应，就是当衬底（body/substrate）和源（source）之间的电势差Vbs不为零的时候，所产生的一些效应的统称。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4305.html         2023-06-19

  • MOSFET器件-亚阈值摆幅（STS)详解-KIA MOS管

    亚阈值摆幅是衡量晶体管开启与关断状态之间相互转换速率的性能指标，它代表源漏电流变化十倍所需要栅电压的变化量，又称为S因子，S越小意味着开启关断速率ON/OFF越快。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4304.html         2023-06-19

  • KNH3625A 250V 60A替代FQA40N25 逆变电源优质MOS管首选-KIA MOS管

    KNH3625A具有低导通内阻，抗冲击能力强，可靠性高的特点，是一款能够满足工业级的场效应管型号，能够高效提升电路品质。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4303.html         2023-06-16

  • 【电路设计】按键方案、工作原理图文分享-KIA MOS管

    一般使用的按键原理图如下图所示，由按键、上拉电阻和消抖滤波电容组成。按键断开时KeyIin1处电压被上拉到+5V，当按键闭合时把KeyIin1电压拉到0V，与按键并联的电容起到滤除按键按下与弹起时的高频信号。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4302.html         2023-06-16

  • PMOS负载开关电路-单按键开关电路-KIA MOS管

    如图所示，Q9 栅极（G）通过100k电阻上拉到12V，源级（S）直接连接至12V电源侧，漏极（D）连接到被控设备，被控设备两端并联二极管，用于关断设备后，释放被控设备上的能量。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4301.html         2023-06-16

  • 【电路收藏】PNP、NPN三极管开关电路设计-KIA MOS管

    1、Ib大约为1mA左右2、Vbe＞0.7V（因此设计时，需保证Vbe＞0.7V，这个是导通条件）；但三极管导通时Vbe= 0.7V左右

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4300.html         2023-06-15

  • NMOS、PMOS做开关管使用的电路设计-KIA MOS管

    压控：是指电压作为控制信号，理想状态下，对于MOS只要VGS的电压满足开启要求(Vth)，MOS管就导通

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4299.html         2023-06-15

  • MOS管上管下管-PMOS管做上管NMOS管做下管-KIA MOS管

    NMOS当下管，即S极（源极）直接接地，只需控制G极（栅极）电压即可控制NMOS管的导通或截止，因为MOS管导通的条件取决于VGS的压差。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4298.html         2023-06-15

  • 逆变器MOS管KIA740H 10A 400V 开关、驱动应用热销原厂-KIA MOS管

    KIA半导体生产的KIA740H热销于逆变器后级电路应用中，优质高效；KIA740H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4297.html         2023-06-14

  • 锂电池原理：锂电池充电及放电机制分析-KIA MOS管

    充电开始时，应先检测待充电电池的电压，如果电压低于3V，要先进行预充电，充电电流为设定电流 的1/10，一般选0.05C左右。电压升到3V后，进入标准充电过程。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4296.html         2023-06-14

96979899100101
Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号