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桥式整流电路输出电容容值计算实例-KIA MOS管
下面的电路是一个桥式整流电路，在 60Hz 时输入电压为120V，负载电流为 2A，纹波电压要求为 43V（峰峰值），我们需要做的是评估一下所需C1的最小电容值。www.kiaic.com/article/detail/4076.html 2023-02-22
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技术分享：两种基本电流检测电路-KIA MOS管
使用电流检测电阻采样电流，是测量电流的首选技术。测量电流的最简单方法是使用分流电阻器（最左侧），通过该电阻器产生的电压与流过它的电流成正比。运放会放大分流电阻器上的低电压，以便使采集到的电压在 ADC 的整个测量范围。www.kiaic.com/article/detail/4075.html 2023-02-21
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【经典电路】电池供电电路设计实例-KIA MOS管
硬开关电路是将2节7号电池的串联电压通过DC/DC转换器MAX756转换成3.3 V的电压，电路图如图1所示。如果不经升压电路而直接由电池供电，那么因电池端产生的电压存在一个由高到低的下降过程。www.kiaic.com/article/detail/4074.html 2023-02-21
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超级结MOSFET开关速度、导通损耗解决-KIA MOS管
超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件而开发的，该技术已用于改善导通电阻与击穿电压之间的制衡。采用超级结技术有助于降低导通电阻并提高MOSFET的开关速度。www.kiaic.com/article/detail/4073.html 2023-02-21
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【图文详解】MOS管的栅极电阻-KIA MOS管
MOS管也可以没有栅极电阻的情况下工作，但添加一个栅极电阻可以防止一些潜在的问题。一般为1000 Ω就可以。请参阅下面的电路图，用于连接 MOSFET 栅极电阻器（下拉电阻器是可选的）www.kiaic.com/article/detail/4072.html 2023-02-20
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PFC电路分类与作用 PFC电路工作原理-KIA MOS管
被动式PFC一般分“电感补偿式”和“填谷电路式（ValleyFillCircuit）”“电感补偿方法”是使交流输入的基波电流与电压之间相位差减小来提高功率因数，被动式PFC包括静音式被动PFC和非静音式被动PFC。www.kiaic.com/article/detail/4071.html 2023-02-20
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高端驱动电路--MOS管调压电路-KIA MOS管
当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate.上的电压只有4.3V。这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。www.kiaic.com/article/detail/4070.html 2023-02-20
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【图文分析】输入电容器和输出电容器-KIA MOS管
框中的上方ICO为输出电容器、下方ICIN为输入电容器的电流波形。输入电容器可从VIN充电，当晶体管Q1为ON时会放出开关电流IDD。比较大的电流会急剧反复流动。输出电容器以输出电压为中心反复与输出纹波电压连动进行充放电工作。www.kiaic.com/article/detail/4069.html 2023-02-17
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电容器纹波电流如何计算？详解-KIA MOS管
在理想情况下，当电容器安装在直流电压电源上时，根据电容隔直通交的特性，没有电流会流向电容器。但是，如果电容两端的实际电压不是单纯的直流电压时，比如电压有微小的波动，此时电容就会发生充放电，就会产生纹波电流。www.kiaic.com/article/detail/4068.html 2023-02-17
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BUCK电路中电感值的计算分享-KIA MOS管
电流纹波率：?I/IL=?I/Io,因为?I=2Iac,所以?I/IL=2Iac/IL,要想?I变小或者接近于零，需要电感磁芯的处理能力大于等于电感储存的能量，磁芯体积与处理能力成正比，与磁芯材质也有关系。www.kiaic.com/article/detail/4067.html 2023-02-17
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【电路精选】电容容值计算方法-KIA MOS管
输入滤波电容C上的波形如上图中的红线所示，当然这是理想情况下的波形，即忽略了整流二极管的内阻。ΔV为电压纹波大小，它根据负载的要求而定义。www.kiaic.com/article/detail/4066.html 2023-02-16
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双极性方法驱动栅极驱动器图文-KIA MOS管
一个具有理想电压源的原理图如图2所示。在这个示例中，驱动器IC的供电电压等于V1、V2之和，而MOSFET的栅极驱动电压为导通状态下的+V1和关断状态下的–V2（相对于MOSFET的源极节点）。www.kiaic.com/article/detail/4065.html 2023-02-16
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隔离式栅极驱动器的四个特性解析-KIA MOS管
在开关期间，晶体管会处于同时施加了高电压和高电流的状态。根据欧姆定律，这将导致一定的损耗，具体取决于这些状态的持续时间（参见图2）。目标是要较大程度地减小这些时间段。此处的主要影响因素是晶体管的栅极电容，为实现开关必须对其进行充电/放电。较高的...www.kiaic.com/article/detail/4064.html 2023-02-16
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MOSFET和IGBT的选型要点、应用分析-KIA MOS管
MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上的固态半导体器件，且都属于电压控制器件。另外，IGBT和MOSFET在栅极和其他端子之间都有绝缘，两种器件全部具有较高的输入阻抗。在应用中，IGBT和MOSFET都可以用作静态电子开关。www.kiaic.com/article/detail/4063.html 2023-02-15