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MOSFET、IGBT绝缘栅极隔离驱动技术-KIA MOS管
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。www.kiaic.com/article/detail/4062.html 2023-02-15
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隔离式栅极驱动器图文分析-KIA MOS管
IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成非线性电容器。对栅极电容充电会使功率器件导通并允许电流在其漏极和源极端子之间流动，而放电时，它会关闭器件，然后可能会在漏极和源极端子上阻塞大电压。www.kiaic.com/article/detail/4061.html 2023-02-15
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【MOS管应用】原边振铃控制分享-KIA MOS管
在反激电路中，一旦 MOSFET 管关断，变压器就会将原边的能量传输到副边，但漏感能量却无法被转移，这会导致电路中的杂散电容产生振铃。漏感是产生振铃的根本原因，它占总电感量的 1% 至 5%，但却无法完全消除。不过，我们可以通过特殊的绕线方法来降低漏感。www.kiaic.com/article/detail/4060.html 2023-02-14
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解决开关电路振铃现象：缓冲器设计-KIA MOS管
上面的原理图是同步降压转换器的简化图。所有寄生电感都集中在一起，显示为Lckt。如上所述，它们包括走线电感和封装电感。与Lck成环的寄生电容主要来自处于关断状态的低端场效应晶体管的输出电容Coss。www.kiaic.com/article/detail/4059.html 2023-02-14
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【图文分析】DCDC电源负载瞬态测试-KIA MOS管
下图是某DCDC转换器负载瞬态测试的典型波形，CH3为输出电压的AC分量，CH4为负载电流。注意到负载电流上升斜率与下降斜率并不相同，较缓的上升斜率对应较小的电压跌落（Undershoot），而陡峭的下降斜率则对应较大的电压过冲（Overshoot）。www.kiaic.com/article/detail/4058.html 2023-02-14
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详解推挽变换器漏感电压尖峰-KIA MOS管
通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是电流而是电压，这正是由于推挽变换器漏感所致。这就迫使设计师不得不降低变压器漏感，选用更高耐压功率管，甚至加入各种吸收电路来满足设计要求，但是却发现都不能从根本上解决问题。www.kiaic.com/article/detail/4057.html 2023-02-13
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PWM互补输出--死区时间计算分享-KIA MOS管
配置PWM互补输出的死区时间，本质上就是在配置TIM1高级控制定时器的刹车和死区寄存器（TIMx_BDTR）中的DTG[7:0]（死区发生器设置）部分。www.kiaic.com/article/detail/4056.html 2023-02-13
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【图文分享】PWM死区简介、作用-KIA MOS管
相对于PWM来说，死区时间是在PWM输出的这个时间，上下管都不会有输出，当然会使波形输出中断，死区时间一般只占百分之几的周期。但是当PWM波本身占空比小时，空出的部分要比死区还大，所以死区会影响输出的纹波，但应该不是起到决定性作用的。www.kiaic.com/article/detail/4055.html 2023-02-13
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【电子分享】电压源逆变器的死区现象-KIA MOS管
为了防止电压源逆变器的上下开关管同时导通，故在开关管的切换时存在一段上下桥臂均关闭的时间，称之为死区时间。当上下开关管都关断时，电流并不会截断，而是通过续流二极管进行续流，那么在不同的开关状态和电流流向时，电路的工作模态有所区别，下面以两种状...www.kiaic.com/article/detail/4054.html 2023-02-10
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【电源精选】电源回沟现象分析-KIA MOS管
上图所示，正常情况下或者说理想情况下，我们希望电源逐渐上升直到建立稳定的电源域；但是实际上在某些情况下出现灰色框图中的问题，电源电压突然下降然后再次上升直到稳定（红色部分是理想曲线）。www.kiaic.com/article/detail/4053.html 2023-02-10
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STW21N150 1500V 14A超结MOSFET电源应用-KIA MOS管
这种非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用MDmesh设计的? K5技术基于创新的专有垂直结构。其结果是，对于需要高功率密度和高效率的应用，导通电阻和超低栅极电荷显著降低。www.kiaic.com/article/detail/4052.html 2023-02-10
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电路设计：DCDC上电时电压输出尖峰电压-KIA MOS管
在电源芯片内部，不管是DCDC芯片，还是LDO芯片，都是通过电阻分压来获取反馈。当输出上面的电容并联的容值太大，由于电容上电瞬间需要充电，相当于对地短路，大部分电流会流向电容内部，从而导致流到反馈端的电流变小。而反馈端电流变小，便会导致反馈的电压偏...www.kiaic.com/article/detail/4051.html 2023-02-09
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LDO和DCDC简介及有何区别分享-KIA MOS管
LDO是低压降的意思，一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA，电压降只有100mV...www.kiaic.com/article/detail/4050.html 2023-02-09
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LDO的线性调整率和负载调整率-KIA MOS管
线性调整率（line regulation）指的是，在特定负载电流条件下，当出入电压变化时，引起的对应输出电压的变化量。www.kiaic.com/article/detail/4049.html 2023-02-09