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MOS管的检测方法及更换MOS管方法-KIA MOS管
把红表笔接到MOS管的源极S；把黑表笔接到MOS管的漏极D，此时表针指示应该为无穷大，如图所示。如果有欧姆指数，说明被测管有漏电现象，此管不能用。www.kiaic.com/article/detail/3779.html 2022-09-13
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详解MOS管中的体二极管的妙用-KIA MOS管
PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。www.kiaic.com/article/detail/3778.html 2022-09-13
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MOSFET在MATLAB中的连接使用方法-KIA MOS管
图中，MOSFET管充当开关时，将S,D端连入回路中；g,m端连接控制器或者信号发生器，通过输入信号来控制MOSFET的闭合和断开。www.kiaic.com/article/detail/3777.html 2022-09-09
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详细分析直流有刷电机并联小电容作用-KIA MOS管
当前时刻，电刷正极和换向器B1接触，电刷负极和换向器B2相连，同时MOS1和MOS4导通，MOS3和MOS2关闭，则线圈L1中有电流流过，如图2所示。此时电机开始转动,换向器也跟着转动。www.kiaic.com/article/detail/3776.html 2022-09-09
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【图文分享】电源和地之间并联电容的作用-KIA MOS管
储能：电路的耗电有时候大，有时候小，当耗电突然增大的时候如果没有电容，电源电压会被拉低，产生噪声，振铃，严重会导致CPU重启，这时候大容量的电容可以暂时把储存的电能释放出来，稳定电源电压，就像河流和水库的关系。www.kiaic.com/article/detail/3775.html 2022-09-09
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【图文详解】MOS管GS两端并联阻容-KIA MOS管
如图所示MOS管驱动电路，定性分析可知，当MOS管关断时，MOS管两端应力为Vds，此时Vds向Cgd和Cgs充电，可能导致Vgs达到Vgs(th)导致MOS管误导通。www.kiaic.com/article/detail/3774.html 2022-09-08
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MOS管强反型与弱反型、速度饱和区转换-KIA MOS管
弱反型区，沟道消失，流过沟道的漂移电流变为扩散电流。模型的表达式变为指数特性而不是平方律弱反型区适合低功耗电路，因为电流很小，但问题在于较大的噪声以及低速（用增益带宽积表征）www.kiaic.com/article/detail/3773.html 2022-09-08
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MOS管模型-MOS管在强反型区作放大器-KIA MOS管
对于NMOS，当衬源PN结正偏时，会带来闩锁效应（Latch-up），所以VBS<0，背栅效应会导致阈值电压变大，电流IDS减小。www.kiaic.com/article/detail/3772.html 2022-09-08
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分析恒流源做电子负载、恒流电子负载电路图-KIA MOS管
前级同向端输入电压信号给LM324,运放负自身负反馈需要动态平衡，此时，同相端、反相端电压相等(V+=V-)。由此R1上的电压就是同相端输入电压，R1采样电阻上流过的恒定电流，实现了自动控制恒流功能。www.kiaic.com/article/detail/3771.html 2022-09-07
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【集成电路】MOS管的亚阈值区-KIA MOS管
Vds与Vdsat的关系Vds > Vdsat时，region变为2，为了保证PVT下电路仍处于饱和区，需要让Vds -Vdsat大于某个经验值。www.kiaic.com/article/detail/3770.html 2022-09-07
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【详细分析】MOS管vd、vdsat和region的关系-KIA MOS管
MOS管的源端和漏端分别接Vg和Vd，可设置Vg为3.3V，Vd为变量，设置变量Vd值为3.3V，dc仿真并对design variable ——Vd进行扫描，扫描范围选择0-3.3V，扫描方式选择线性，【automatic方式不准确，尽量避免使用】，step size可选择0.01，这样仿真设置就完成了。www.kiaic.com/article/detail/3769.html 2022-09-07
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【图文】反激电源变压器计算方法、电路设计-KIA MOS管
上图可见，DCM和CCM是固定频率的，CRM是可变频率的。其中Id为副边的输出电流。分析上图，可知CCM模式下，电流不会趋于0。DCM模式下，电流会趋于0，并且有一定的死区时间。CRM模式下，电流刚刚到达零时，就会导通开关管。www.kiaic.com/article/detail/3768.html 2022-09-06
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BUCK斩波电路图、BUCK斩波电路工作原理-KIA MOS管
图中V为全控型器件，选用IGBT;D为续流二极管。由图中V的栅极电压波形UGE可知，当V处于通态时，电源Ui向负载供电，UD=Ui。当V处于断态时，负载电流经二极管D续流，电压UD近似为零，至一个周期T结束，再驱动V导通，重复上一周期的过程。www.kiaic.com/article/detail/3767.html 2022-09-06
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Buck降压开关电源的功率损耗计算分享-KIA MOS管
降压转换器的传导损耗主要来自于晶体管Q1、二极管D1和电感L在传导电流时产生的压降。为了简化讨论，在下面的传导损耗计算中忽略电感电流的交流纹波。如果MOSFET用作功率晶体管，MOSFET的传导损耗等于IO2 ? RDS(ON) ? D，其中RDS(ON)是MOSFET Q1的导通电阻。www.kiaic.com/article/detail/3766.html 2022-09-06