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【收藏】电流、电压、电阻、功率关系详解-KIA MOS管

电流、电压、电阻、功率等参数间有以下换算关系。功率=电流*电压功率=电压*电流电流=电压/电阻功率：符号P单位W；电压：符号U单位V；电阻：符号R单位Ω；电流：符号I单位A；

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www.kiaic.com/article/detail/3821.html 2022-10-08

模电分享：电压源和电流源的转换-KIA MOS管

电压源可以等效转换为一个理想的电流源IS和一个电阻RS的并联。电流源可以等效转换为一个理想电压源US和一个电阻RS的串联。即转换公式：Us = Rs*Is。

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www.kiaic.com/article/detail/3820.html 2022-10-08

【MOS管参数】MOS管散热功率电流参数-KIA MOS管

MOS管有如下参数：Operating Junction ：Tmin-Tmax。Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。THERMAL RESISTANCE：Rjc 。Drain?to?Source On Resistance：RDS(on)

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www.kiaic.com/article/detail/3819.html 2022-09-30

【收藏】开关电源的损耗改善方法图文-KIA MOS管

mos损耗包括：导通损耗，开关损耗，驱动损耗。其中在待机状态下最大的损耗就是开关损耗。改善办法：降低开关频率、使用变频芯片甚至跳频芯片（在空载或很轻负载的情况下芯片进入间歇式振荡）

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www.kiaic.com/article/detail/3818.html 2022-09-30

PMOS、NMOS的电流方向以及工作区分析-KIA MOS管

对于NMOS，其沟道中的载流子为电子；对于PMOS，其沟道的载流子为空穴，这就造成了二者电流方向的必然不同。

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www.kiaic.com/article/detail/3817.html 2022-09-30

过驱动电压对电路失配有影响吗？详解-KIA MOS管

负载电阻失配与晶体管尺寸失配对失调电压的影响随着静态工作点过驱动电压增大而增大；阈值电压失配直接折合到输入。

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www.kiaic.com/article/detail/3816.html 2022-09-29

关于过驱动电压Veff/Vod的分析-KIA MOS管

Veff=VGS-VTH，表示过驱动电压。表示的是栅源电压-阈值电压。其实是一个变值，会随VGS电压变化而变化，也会受VTH的影响（体效应），其实是我们设计过程中可能会经常出现的一个名词，经常会设计一个比较固定的过驱动电压。

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www.kiaic.com/article/detail/3815.html 2022-09-29

【电路设计】低电压控制高电压分析-KIA MOS管

CON_IN输入引脚是低电压控制芯片的控制信号，必须能是pnp三极管导通。VCC是低电压通常会是5V或者是12V，1n4007起到保护作用避免有反向电压出现时继电器闭合，电路很简单。

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www.kiaic.com/article/detail/3814.html 2022-09-29

电压检测电路：24V低压检测电路分享-KIA MOS管

当电压采样速率低和要求低时，左边电路图即可满足；当采样速率和精度要求比较高时，采用右边电路。

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www.kiaic.com/article/detail/3813.html 2022-09-28

图文分享输出电压的欠压保护电路设计-KIA MOS管

板卡供电电源为DC_12V，DC_12V经MP2307降压到5V，给板卡其他功能电路供电。同时板卡上有一超级电容SCB作为备用电源，当DC_12V突然掉电时，可继续由SCB供电，保证数据不丢失。

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www.kiaic.com/article/detail/3812.html 2022-09-28

【常用电路】电池包电压检测电路图-KIA MOS管

当我们不检测电池包电压时，我们希望电池包的电消耗很慢。所以，我们让对应单片机 IO 口输出低电平时，此时NMOS管不能导通，表现为一个很大的电阻，最大程度减少电池包电量的损耗。

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www.kiaic.com/article/detail/3811.html 2022-09-28

运放电流检测电路-高端检测、低端检测电路-KIA MOS管

此处是低端电流取样检测，根据运放的虚短和虚短的原则，V-=V+；有(Vout-V-)/R=V-/R1; 这里整理公式：VOUT=V+*（R+R1）/R1. 然后我们算V+=mos流过电阻电流*R2 ，整理公式：mos流过电流电阻电流=V+/R2=VOUT*R1/(R+R1)/R2。

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www.kiaic.com/article/detail/3810.html 2022-09-27

电压电流采样电路、放大倍数计算-KIA MOS管

假设上图中Vcc为48V，R1 = 47K，R2 = 1K。则根据电阻分压，Vi = 48 * （1/48）=1V。因为虚短：V+ = V-。（式1）

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www.kiaic.com/article/detail/3809.html 2022-09-27

【收藏】MOS管电流采样保护电路图-KIA MOS管

KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴；

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www.kiaic.com/article/detail/3808.html 2022-09-27

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