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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5079 个

  • PMOS防止倒灌电路/MOS管防倒灌电路-KIA MOS管

    在某些应用中,如电池充电电路中, B点是充电器接口, C点是电池接口,为了防止充电器拔掉时,电池电压出现在充电接口。(Q1、Q2、Q3共同组成防倒灌电路)注意Q3的DS反向接于电路,这样做是防止MOS的体极管对电路产生的影响(如果Q3按常规方式接在电路中, C点接电源则会...

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    www.kiaic.com/article/detail/3646.html         2022-07-12

  • MOS管构成二极管/MOS管二极管接法-KIA MOS管

    主要保护GS极,限制Vgs间的最大电压。 (其一)保护DS极,其二)起到回流二极管作用,其三)为过电流或电感提供反向通路,其四)防止d、s极反向连接,其五)隔离。

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    www.kiaic.com/article/detail/3645.html         2022-07-11

  • NMOS作开关的接法及NMOS接法差异分析-KIA MOS管

    1、左边电路负载是接在S极对地,如果R1很小且Q1-G极一直为High,那么流过Q1的电流可能将会非常大,MOS管容易烧;

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    www.kiaic.com/article/detail/3644.html         2022-07-11

  • 运算放大器单稳态电路分析-KIA MOS管

    在初始上电时(即t = 0),输出(V OUT)将向正电源轨(+ Vcc)或向负电源轨(-Vcc)饱和,因为这是允许的唯一两个稳定状态运算放大器。现在让我们假设输出已经朝着正电源轨+ Vcc摆动。然后,同相输入端的电压V B将等于+ Vcc *β,其中β是反馈分数。

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    www.kiaic.com/article/detail/3643.html         2022-07-11

  • 20A 500V场效应管 TO-220 KNX7150A MOS管​原厂原装-KIA MOS管

    20A 500V场效应管 KNX7150A-产品特征1、专有新平面技术2、RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V3、低栅极电荷最小化开关损耗4、快恢复体二极管

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    www.kiaic.com/article/detail/3642.html         2022-07-08

  • 运算放大器多谐振荡器电路分析-KIA MOS管

    通过将正弦输入替换为跨运算放大器输出的RC定时电路,我们可以进一步将周期波形转换为矩形输出这一想法。这次,我们可以使用电容器的充电电压Vc来改变运算放大器的输出状态,而不是使用正弦波形来触发运算放大器。

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    www.kiaic.com/article/detail/3641.html         2022-07-08

  • 多谐振荡器电路制作的LED闪烁灯分享-KIA MOS管

    多谐振荡器也叫无稳态触发器,“多谐”的含义就是含有多种频率成分的意思,因为其输出的是脉冲方波,而方波可以分解为多个不同频率的正弦波。

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    www.kiaic.com/article/detail/3640.html         2022-07-08

  • NMOS开关电路测试图文分享-KIA MOS管

    从输出特性曲线可以看出,只要Vgs大于截止电压4.5V,DS就可以导通了。测试时直接使Vgs=+12V,Vds=+48V,负载电流最大可达到50A。为了方便单片机控制Vgs,可加一个三极管进行电压控制,加一个光耦进行电气隔离,通过单片机IO口电平高低来控制NOMS的通断。

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    www.kiaic.com/article/detail/3639.html         2022-07-07

  • 大电流H桥电机驱动电路-自举电路-KIA MOS管

    自举电路作用:在高端和低端MOS管中提到过,由于负载(电机)相对于高端和低端的位置不同,而MOS的开启条件为Vgs>Vth,这便会导致想要高端MOS导通,则其栅极对地所需的电压较大。

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    www.kiaic.com/article/detail/3638.html         2022-07-07

  • 驱动芯片和MOS管搭建大电流H桥电机驱动电路-KIA MOS管

    用半桥/全桥驱动芯片和MOS管搭建合适的H桥电机驱动电路实现对大电流电机的驱动控制。该电机驱动板有两个H桥电路,可以同时控制双路电机。可通过相应的控制信号来控制电机的转速和正反转。

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    www.kiaic.com/article/detail/3637.html         2022-07-07

  • 自偏置电流镜设计实例仿真分享-KIA MOS管

    在0.18µm的工艺下搭建我们之前讨论的电路,设计一个与VDD变化不敏感的参考电流源,参考电流为20µA,VDD为1.8V。计算相关参数,用gm/id法设计并搭建上一篇文章图三所示的电路如下图六所示。

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    www.kiaic.com/article/detail/3636.html         2022-07-06

  • 电路设计分享-自偏置电流镜电路设计-KIA MOS管

    如图一所示的电路,也称之为Beta-multiply reference电路,其中M2的尺寸是M1的k倍。M3复制M4的电流,M2和M1的漏极电流相同,但是VGS并不相等。

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    www.kiaic.com/article/detail/3635.html         2022-07-06

  • 【图文分析】电流镜电路分享-KIA MOS管

    电流镜电路可以用晶体管和MOSFET来搭建,尽管我们可以用这两个简单的有源器件或直接使用一个放大器电路,但其输出并不完美,而且有着自身的局限并依赖于外部因素。所以为了得到稳定的输出,我们必须在电流镜电路上加入另外的技术。

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    www.kiaic.com/article/detail/3634.html         2022-07-06

  • 【电子精选】共源共栅结构图文分析-KIA MOS管

    共源共栅结构最大的特点就是输出阻抗大。 共源管下标为1,共栅管下标为2,单个共源管的输出阻抗为ro1,而共源共栅结构的输出阻抗近似为gm2ro1ro2。

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    www.kiaic.com/article/detail/3633.html         2022-07-05

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