半导体MOSFET和MESFET有什么区别，基本原理是什么？

MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求，MESFET则采用肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构（图1.24）。就PN结的特性而言，与肖特基二极管并无本质上的区别。众所周知，肖特基势垒的基本结构就是“Metal-Semiconductor”（金属-半导体）...

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www.kiaic.com/article/detail/347.html         2017-07-27

MOS管是什么？什么是VDMOS(VMOS) 、UMOS (UDMOS、UVDMOS)

采用DMOS工艺的VMOS最初称为VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直沟道，双扩散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽栅垂直沟道双扩散MOSFET)。这是直到目前仍然是绝对主流的功率MOSFET品种。因此在国内，如果没有特别说明...

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www.kiaic.com/article/detail/346.html         2017-07-27

运用TrL和CMOS集成门电路有什么留意事项？

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①多余的输入端不能悬空，以免形成干扰，—般要依据逻辑功用的不同接电源或接地。 ②电源电压大小必需契合请求，极性必需正确，否则会损坏集成电路。 ③输出端不能直接接电源或直接接地，需经外接电阻后再接电源。

www.kiaic.com/article/detail/310.html         2017-07-11

KIA半导体推出碳化硅场效应管（SiC-MOSFET）

近些年来，随着节能意识几乎在所有的领域持续高涨，在高电压工业设备领域中，可实现节能并支持高电压的功率半导体和电源IC应用也越来越广泛。其中，与现有的Si功率半导体相比，可支持更高电压、有助于实现小型化且更加节电的SiC功率半导体备受瞩目。

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www.kiaic.com/article/detail/53.html         2016-04-18