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1. 串联1只二极管。优点是电路简单、可靠。但有0.7V的压降。2. 串联4只二极管的全桥。优点是无论正接、反接,电源都能正常工作。缺点是要损失1.2V ~1.4V的电压。
www.kiaic.com/article/detail/3606.html 2022-06-22
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如上图,通过电路中串联一个二极管,来防止电路电源反接。如果电源供电反向接入,二极管反向截止不导通。从而起到保护电路的作用。
www.kiaic.com/article/detail/3605.html 2022-06-22
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MOS管通过GS之间的电压VGS来控制通断,NMOS和PMOS的控制方式不一样,如下: NMOS的控制方式 NMOS的VGS > Vth时,NMOS导通,用单片机控制NMOS时,单片机输出高电平可以控制NMOS管的导通,单片机输出低电平时NMOS管关断。
www.kiaic.com/article/detail/3604.html 2022-06-22
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KIA7306A高密度沟槽的N沟道MOSFET,提供优良的导通电阻和栅极指控对于大多数的同步降压转换器应用。KIA7306A满足RoHS和绿色产品需求。
www.kiaic.com/article/detail/3603.html 2022-06-21
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用一个个12V电源供电,控制一个12V 的灯的亮暗,mos管在灯亮度比较高时,温度很烫,手感的话,估计超过50度,用220v交流功率计测试,在高亮状态下,功率大致为40w左右,灯的供电是12V,也就是说电流大致在3A左右
www.kiaic.com/article/detail/3602.html 2022-06-21
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使用集成芯片和外围器件的简单配合,让U1工作再一个缓慢充电再放电的振荡状态,U2则会在这个基础上进行脉冲的调制输出,经过C2去推动负载工作。
www.kiaic.com/article/detail/3601.html 2022-06-21
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这种反馈路径会增加成本,占用电路板上的空间,并与变压器的隔离电压共同决定电路的最大隔离电压。光耦合器通常会老化,随着时间的推移其特性会改变,并且通常不适用于85°C以上的温度。
www.kiaic.com/article/detail/3600.html 2022-06-20
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PWM转换器PWM = 脉宽调制一种转换器架构:固定频率振荡器驱动信号:恒定频率, 具有可变的占空比(功率FET导通时间与总开关周期之比)
www.kiaic.com/article/detail/3599.html 2022-06-20
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压摆率在英文里是slew rate,简写为SR。压摆率也称转换速率。压摆率的意思就是运算放大器输出电压的转换速率,单位有通常有V/s,V/ms和V/μs三种,它反映 的是一个运算放大器在速度方面的指标。
www.kiaic.com/article/detail/3598.html 2022-06-20
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KNX3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET,为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KND3404C满足RoHS和绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功能的可靠性。
www.kiaic.com/article/detail/3597.html 2022-06-17
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输入电压范围(Input Voltage Range),是指放大器两个输入端引入信号的电压范围,也称作共模输入范围(Input Common-Mode Voltage Range)。
www.kiaic.com/article/detail/3596.html 2022-06-17
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对于开关电源,在实际应用中,不是给个驱动就开,拿掉驱动就关掉,有接通延迟时间(tdon),上升时间(tr),关断延迟时间(tdoff)和下降时间tf。
www.kiaic.com/article/detail/3595.html 2022-06-17
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N-MOS广泛应用于设备通断的控制。例如上图的LED灯控制和电动马达的控制。GPIO口拉高,MOS管就导通,LED灯亮、马达转动。GPIO拉低,MOS管就关闭,LED灯灭,马达就停止转动。
www.kiaic.com/article/detail/3594.html 2022-06-16
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图中有两个型号的MOS管,Q1是N沟道MOS管(型号是FDN335N),Q2是P沟道MOS管(型号是AO3401)。MOS是通过控制栅极和源极之间的电压差(Vgs)来实现导通和截止的。
www.kiaic.com/article/detail/3593.html 2022-06-16