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参考上面的运算放大器比较器电路,首先假设V IN小于V REF处的直流电压电平( V IN <V REF )。由于比较器的同相(正)输入小于反相(负)输入,因此输出将为LOW且电源电压为负-Vcc,导致输出的负饱和。
www.kiaic.com/article/detail/3536.html 2022-05-19
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电压比较器它可用作模拟电路和数字电路的接口,还可以用作波形产生和变换电路等。利用简单电压比较器可将正弦波变为同频率的方波或矩形波。
www.kiaic.com/article/detail/3535.html 2022-05-19
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CMOS反相器的开关阈值Vm定义为当输入电压与输出电压相等时的电压值,即图1红点处
www.kiaic.com/article/detail/3534.html 2022-05-18
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小信号是大信号工作在固定偏置点下电路体现,那么为了得到我们需要的小信号性能,例如运放的增益,BW,GBW,PM,那么一个重要的前提就是电路要工作在小信号需要的偏置点上。
www.kiaic.com/article/detail/3533.html 2022-05-18
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其实掌握最基本的公式,也就是gain=gm*Rout,就能快速的推导出运放的增益。有的管子尺寸大,W/L大,自然gm大;有的W/L小,自然gm小。
www.kiaic.com/article/detail/3532.html 2022-05-18
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在讲解MOSFET的开启过程之前,先说以下电容C的充放电过程,下面以1uF陶瓷电容为例,我们仿真一下电容在充电和放电两个过程中,电容两端的电压和电流的波形图是什么样的。
www.kiaic.com/article/detail/3531.html 2022-05-17
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现在用在音响上的功率MOS又分正温和负温管,如K1058等是负温管,温度越高同样的Vgs得到的ID越小。IRFP240等是正温管,温度越高,Vgs开启电压越低,同样的Vgs下得到的ID越大。(但温度越高耗散功率会越小,可控的电流也会越小)
www.kiaic.com/article/detail/3530.html 2022-05-17
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共源极电路除有图16-13 所示的接法外,还可采用图16-14 所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻RG提供的。该电路虽然简单.但R G不易取得过大.否则会在栅漏泄电流流过时产生较大的压降,使栅偏压发生变化.造成工作点的偏离。
www.kiaic.com/article/detail/3529.html 2022-05-17
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三极管的饱和区:Ic不随Ib的增大而增大,所以称为饱和区。MOS管的饱和区:Ids不随Vds的增大而增大,所以称为饱和区。
www.kiaic.com/article/detail/3528.html 2022-05-16
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研究MOSFET特性采用的典型电路:如图所示MOSFET有三个极,分别是栅极G、漏极D、源极S。RL作为载流电阻,V0_out一直等效于Vds。G_in为栅极的输入(在之后的说明中用V1替代)。
www.kiaic.com/article/detail/3527.html 2022-05-16
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1、信号放大为何放大:1).信号电压太小,不易察觉2).信号功率太小,不能驱动负载3).传输过程中信号易被噪声淹没
www.kiaic.com/article/detail/3526.html 2022-05-16
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三端稳压管78L08T SOT-89描述:KIA78L08T是一种单片固定稳压集成电路。它适用于应用要求电源电流高达100mA。
www.kiaic.com/article/detail/3525.html 2022-05-13
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这是使用一个开关创建两种状态的电路,一种状态是将直流电源的(+)和(-)连接到电机,另一种状态是断开电机与直流电源的(+)或(-)的连接。因其可以通过一个开关实现而被称为“单开关电路”。
www.kiaic.com/article/detail/3524.html 2022-05-13
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一款高速、高压运算放大器(运放),同时还具有高输出功率,以及同样出色的直流精度、噪声和失真性能。市面上很少能见到兼具所有这些特性的运算放大器。但是,您可以使用两个单独的放大器来构建这种放大器,形成复合放大器。
www.kiaic.com/article/detail/3523.html 2022-05-13