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【分享】氮化镓芯片组实现高效率、紧凑的反激式电源-KIA MOS管
氮化镓芯片组--它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。www.kiaic.com/article/detail/3367.html 2022-02-25
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系统中采用低端驱动器的常见应用-KIA MOS管
在许多中低功率应用中，低侧（接地参考）MOSFET由PWM控制IC的输出引脚驱动，以切换感性负载。如果PWM输出电路可以以可接受的开关时间驱动MOSFET而不会耗散过多功率，则此解决方案是可以接受的。随着系统功率需求的增长，开关和相关驱动电路的数量也随之增加。随...www.kiaic.com/article/detail/3366.html 2022-02-24
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SiC MOSFET实时结温监测电路图文解析-KIA MOS管
碳化硅设备或设备因在不久的将来有可能在电力电子设备（特别是大功率转换器应用）中替代硅的传统设备而闻名。由于宽带隙的可用性，高功率密度，较低的电阻和快速的开关频率，所有这些都是可能的。高可靠性电源系统需要复杂，苛刻和复杂的条件和环境才能工作。www.kiaic.com/article/detail/3365.html 2022-02-24
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驱动输入端负压抑制及尖峰形成原因-KIA MOS管
许多高性能、高频率的PWM控制芯片，无论是数字类型还是模拟类型，都不具备或只有有限的直接驱动功率MOSFET的能力。因为功率MOSFET对栅极驱动电流有较高的要求，驱动芯片就相当于PWM开关控制芯片与功率MOSFET之间的桥梁，用来将开关信号电流和电压放大，同时具备...www.kiaic.com/article/detail/3364.html 2022-02-24
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P-MOS管 KIA3423 -2.0A-20V 原厂送样 价格优势-KIA MOS管
KIA3423采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS，低栅极充电门极电压低至2.5V。该器件适合用作负载开关或用于脉宽调制应用。KIA3423是不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）的标准产品。www.kiaic.com/article/detail/3363.html 2022-02-23
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半导体元器件过电应力失效图文浅析-KIA MOS管
半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。www.kiaic.com/article/detail/3362.html 2022-02-23
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详解尖峰电流与PCB布局时的去耦电容-KIA MOS管
尖峰电流的形成：数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下图的TTL与非门为例说明尖峰电流的形成：www.kiaic.com/article/detail/3361.html 2022-02-23
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几种延时电路原理详细解析-KIA MOS管
该电路由CD4060 组成定时器的时基电路，由电路产生的定时时基脉冲，通过内部分频器分频后输出时基信号。在通过外设的分频电路分频，取得所需要的定时控制时间。www.kiaic.com/article/detail/3360.html 2022-02-22
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【工程师必备】功放电路图文分享-KIA MOS管
功放，顾名思义，就是功率放大的缩写。与电压或者电流放大来说，功放要求获得一定的、不失真的功率，一般在大信号状态下工作，因此，功放电路一般包含电压放大或者电流放大电路没有的特殊问题，具体表现在：①输出功率尽可能大；②通常在大信号状态下工作；③非...www.kiaic.com/article/detail/3359.html 2022-02-22
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运算放大器线性应用的重点图文详解-KIA MOS管
本文重点讲解运算放大器的线性应用，线性应用重点掌握集成运放的传输特性、理想运放的特性，以及基本的同相放大器、反相放大器、加法电路、减法电路、积分电路和微分电路。www.kiaic.com/article/detail/3358.html 2022-02-22
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【图文】LLC谐振转换器中MOSFET如何避免出现故障？-KIA MOS管
通常情况下，电源设计人员通过增大开关频率来降低功耗和缩小系统尺寸。由于具有诸多优势如宽输出调节范围、窄开关频率范围以及甚至在空载情况下都能保证零电压开关，LLC 谐振转换器应用越来越普遍。但是，功率 MOSFET 出现故障一直是LLC谐振转换器中存在的一个...www.kiaic.com/article/detail/3357.html 2022-02-21
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【分享】MOS管波形异常的解决方法-KIA MOS管
MOS管波形在各拓扑结构中的波形都会不一样，对与PFC来说，MOS管波形见图2，这是因为工作在了CCM模式下的PFC MOS管波形，可以看到尖峰非常高，www.kiaic.com/article/detail/3356.html 2022-02-21
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巧妙区分PMOS管和NMOS管的记忆方法-KIA MOS管
箭头指向G极的是N沟道箭头背向G极的是P沟道MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain），但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。对此，本文分享一个方法，可以让大家迅速记住这些东西而...www.kiaic.com/article/detail/3355.html 2022-02-21
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小电流MOS管KIA3415 SOT-23 资料-16V-4.0A免费送样-KIA MOS管
KIA3415采用了先进的沟道技术。提供卓越的R-DS（开）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该装置适合作为负载开关或在PWM中应用。KIA3415是标准不含铅产品。www.kiaic.com/article/detail/3354.html 2022-02-18