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什么是栅极－源极电压产生的浪涌？详解-KIA MOS管
右侧的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步升压（Boost）电路。在该电路中，高边（以下称“HS”）SiC MOSFET与低边（以下称“LS”）SiC MOSFET的开关同步进行开关。当LS导通时，HS关断，而当LS关断时，HS导通，这样交替导通和关断。www.kiaic.com/article/detail/3275.html 2021-12-30
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步进电机：双极连接和单极连接图文分析-KIA MOS管
双极连接的方法如图所示，采用电流在一个绕组中双向流动的驱动方式（双极驱动）。这种方式电机的结构比较简单，端子数也较少，但由于必须控制一个端子的极性，因此驱动电路较为复杂。不过，这种电机的绕组利用率好，并且可以进行精细的控制，因此可以获得很高的...www.kiaic.com/article/detail/3274.html 2021-12-30
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如何解决直流有刷电机的噪声来源？-KIA MOS管
电机作为许多产品的重要组成部分，例如扫地机，吸尘器，电子门锁，汽车上的雨刮、空调压缩机以及其他各种电动类产品等，电机电磁辐射问题也关乎产品的电磁辐射能否达标，常见的电机可分为有刷电机和无刷电机，本文将主要围绕直流有刷电机的噪声来源进行分析并提...www.kiaic.com/article/detail/3273.html 2021-12-29
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【详解】有刷电机驱动器的功耗计算方法-KIA MOS管
“IC电路电流×电源电压”虽然不错，但“流过电机的电流×电源电压”中却含有电机的功耗，因此，正确的做法是应先求出电机驱动器IC的输出功耗，再加上IC电路的功耗。www.kiaic.com/article/detail/3272.html 2021-12-29
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仿真分析SiC MOSFET单管的并联均流特性-KIA MOS管
如图1所示，基于双脉冲的思路，搭建双管并联的主回路和驱动回路，并设置相关杂散参数，环境温度为室温。外部主回路：直流源800Vdc、母线电容Capacitor（含寄生参数）、母线电容与半桥电路之间的杂散电感Ldc_P和Ldc_N、双脉冲电感Ls_DPTwww.kiaic.com/article/detail/3271.html 2021-12-29
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MOSFET导通状态漏源电阻图文解析-KIA MOS管
MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻，缩写为R DS （on）。这个R DS （on）的想法看起来非常简单：当FET截止时，源极和漏极之间的电阻非常高 - 我们假设零电流流动。www.kiaic.com/article/detail/3270.html 2021-12-28
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一文看懂MOSFET数据表--开关参数-KIA MOS管
图1显示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电荷和反向恢复电荷，这代表了一个事物的两个方面。在左侧，Qrr在360A/µs时测得的值为85nC，在右边，2000A/µs时测得的值为146nC。www.kiaic.com/article/detail/3269.html 2021-12-28
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MOSFET雪崩击穿额定值理论分析-KIA MOS管
所有半导体器件都具有一定的最大反向电压额定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此阈值的操作将导致反向偏置 pn 结中的高电场。由于碰撞电离，高电场会产生电子-空穴对，这些电子-空穴对会产生倍增效应，从而导致电流增加。流过器件的反向电流会导致高功耗、相...www.kiaic.com/article/detail/3267.html 2021-12-28
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具有迟滞功能的欠压和过压闭锁电路-KIA MOS管
如果电源电压上升缓慢并且有噪声，或者如果电源本身具有电阻（如电池中的电阻），导致电压随负载电流下降，那么当比较器输入超过其UVLO阈值时，比较器的输出将在高电平和低电平之间反复切换。www.kiaic.com/article/detail/3266.html 2021-12-27
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关于无刷直流电机加速设计周期方法分析-KIA MOS管
无需编程的电机驱动器包括内置的控制换向算法，因此无需进行电机控制软件的开发、维护和认证。这些电机驱动器通常从电机获取反馈（例如霍尔信号或电机相位电压和电流信号），实时计算复杂的控制方程以确定下一个电机驱动状态，并为栅极驱动器或金属氧化物半导体...www.kiaic.com/article/detail/3265.html 2021-12-27
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【图解】使用运算放大器和MOSFET构建电流负载-KIA MOS管
测试电源和电池需要电流负载，该电流负载能够吸收大电流并消耗大量功率。只需使用一个运算放大器和一个功率MOSFET就可以构建一个简单而准确的电流负载，如图1所示。www.kiaic.com/article/detail/3264.html 2021-12-27
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KNX3406A TO252/60V80A参数资料 免费送样-KIA MOS管
KNX3406A TO252/60V80A产品特征RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V提供无铅和绿色设备低无线电数据系统开启，以减少传导损耗高雪崩电流www.kiaic.com/article/detail/3263.html 2021-12-24
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【图文】反相器的电路结构和工作原理-KIA MOS管
设 VCC=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2VPN结的导通压降VON=0.7VA点:输入为0，T1管be结正偏，bc结正偏，T1处于饱和状态，c1压降很低，T2管的基极与c1接在一起，所以T2管、T5管都截止，T4管导通，Y输出高电平，VOH=VCC-VR2-VBE4-VD2=3.4Vwww.kiaic.com/article/detail/3262.html 2021-12-24
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CMOS反相器电路组成图文解析-KIA MOS管
（1）工作原理 ①输入低电平 Ui=0 时 VN截止， VP导通 Uo≈VDD ②输入高电平， UI = +UDD VN导通， Vp截止 Uo≈0vwww.kiaic.com/article/detail/3261.html 2021-12-24