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MOSFET-电池充电器的反向电压保护-KIA MOS管
处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管，但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电...www.kiaic.com/article/detail/3317.html 2022-01-20
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【涨知识】MOS管的发展历程-KIA MOS管
MOS管的全称是金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOS管的发明最早可以追溯到19世纪30年代，由德国人提出了Lilienfeld场效应晶体管的概念，之后贝尔实验室的肖特基发明者Shcokley等人也尝试过研究发明场效应管，但是都失败了。1949年Shcokley提出了注入少子的双极...www.kiaic.com/article/detail/3316.html 2022-01-20
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【实用电路】N沟道MOS管做电平转换-KIA MOS管
双向传输原理：为了方便讲述，定义 3.3V 为 A 端，5.0V 为 B 端。A端输出低电平时（0V），MOS管导通，B端输出是低电平（0V） A端输出高电平时（3.3V），MOS管截至，B端输出是高电平（5V）www.kiaic.com/article/detail/3315.html 2022-01-19
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如何判断MOS管是否被击穿？及解决方法-KIA MOS管
MOS管有三个电极，即栅极G，漏极D和源极S，大多数情况下，带有丝印的一面面向我们，从左至右依次为栅极，漏极，源极（有例外），所以我们只要根据以下方法进行测量就可以了，无需分辨脚位（多数情况下）。www.kiaic.com/article/detail/3314.html 2022-01-19
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【经典电路】双稳态一键开关机电路分享-KIA MOS管
原理：Q1,Q2组成双稳态电路。 由于C1的作用，上电的时候Q1先导通 ，Q2截止，如果没按下按键，电路将维持这个状态。Q3为 P沟道增强型MOS管，因为Q2截止，Q3也截止，系统得不到电源。www.kiaic.com/article/detail/3313.html 2022-01-19
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KIA23P10A -100V-23AMOS管 参数详情 原厂现货-KIA MOS管
KIA23P10A使用先进的沟槽MOSFET技术提供优秀的RDS(ON)和栅电荷,用于广泛的其他应用。KIA23P10A符台RoHS和绿色产品的要求, 100%的EAS保证了完全的功能可靠性。www.kiaic.com/article/detail/3312.html 2022-01-18
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【知识点】开关电源的控制技术：PWM和PFM-KIA MOS管
脉宽调制PWM是开关型稳压电源中的术语。这是按稳压的控制方式分类的，除了PWM型，还有PFM型和PWM、PFM混合型。脉宽宽度调制式（PWM）开关型稳压电路是在控制电路输出频率不变的情况下，通过电压反馈调整其占空比，从而达到稳定输出电压的目的。www.kiaic.com/article/detail/3311.html 2022-01-18
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【电子干货】BLDC电机控制算法分析-KIA MOS管
无刷电机属于自换流型（自我方向转换），因此控制起来更加复杂。BLDC电机控制要求了解电机进行整流转向的转子位置和机制。对于闭环速度控制，有两个附加要求，即对于转子速度/或电机电流以及PWM信号进行测量，以控制电机速度功率。www.kiaic.com/article/detail/3310.html 2022-01-18
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EMC加差模电感抑制开关电源的噪声进入电网-KIA MOS管
开关电源的EMC部分经常会看到有加差模电感，这个电感的作用就是用来抑制开关电源的噪声进入电网用的，特别对于要求高PF的电源里面，如果前面加太多的X电容，可能会引起PF值下降，所以很多时候是加差模电感。www.kiaic.com/article/detail/3309.html 2022-01-17
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开关电源的EMC测试及正确选择EMI滤波器-KIA MOS管
图1为所测的15kW开关电源的传导骚扰值，由图中可以看出在0、15～15MHz大范围超差。这是因为开关电源所产生的干扰噪声所为。开关电源所产生的干扰噪声分为差模噪声和共模噪声。www.kiaic.com/article/detail/3308.html 2022-01-17
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基于MOSFET内部结构优化的驱动电路-KIA MOS管
通常在实际的设计过程中，电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注，尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动电路的设计，导致在实际的应用中，MOSFET产生一定的失效率。本文将讨论这些细节的问题，从而优化MOSFET的驱动性能，...www.kiaic.com/article/detail/3307.html 2022-01-17
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【超实用】有效防止电路中闩锁问题的方法-KIA MOS管
闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件，这种低阻抗路径可能会由于过大的电流水平而导致系统紊流或灾难性损坏。本文介绍闩锁效应产生的机理，并且介绍了3个电路设计的实用方法, 有效防止闩锁问题。www.kiaic.com/article/detail/3306.html 2022-01-14
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什么是IGBT中的闩锁效应？图文详解-KIA MOS管
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能两方面的优点。闩锁会使IGBT失去栅控能力，器件无法自行关...www.kiaic.com/article/detail/3305.html 2022-01-14
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【分享】常用的NMOS+PMOS控制电路-KIA MOS管
下面要介绍的是单片机电路里面经常用到的一个MOS管组合控制电路，由一个增强型NMOS管和一个增强型PMOS管组成，IO_CON是接到单片机(单片机供电3.3V)的IO口上，单片机电平控制有两种情况www.kiaic.com/article/detail/3304.html 2022-01-14