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【技术笔记】用于测量极低电阻的简单比率技术-KIA MOS管
也许极低阻值的电阻器（即mΩ级及以下）最常见的应用是电流控制电路，因为其低阻值可降低功率损耗。对于这类应用，大约10%-20%的容差就足够了。但即使在这样的容差下，精确测量非常低的电阻值也相当困难，尤其是在涉及大电流时。www.kiaic.com/article/detail/3381.html 2022-03-04
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【图文详解】超级结MOSFET结构、工作原理-KIA MOS管
（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。www.kiaic.com/article/detail/3380.html 2022-03-04
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详解SiC MOSFET的短路检测及短路保护-KIA MOS管
1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。2、IGBT短路后能够退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增加，能够自我限流。www.kiaic.com/article/detail/3379.html 2022-03-03
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电源电路解析-降压电路(DC DC）图文分享-KIA MOS管
1、降压拓扑如上图，要想掌握降压电路，必须深刻理解拓扑结构，几乎所有降压DC to DC 都是基于此拓扑结构。2、环路一，开关导通时的电流路径；环路二，开关闭合时的电流路径。闭合环路，变化的电流产生磁场，为了降低EMC，设计PCB 时，环路设计应该尽量小，同时...www.kiaic.com/article/detail/3378.html 2022-03-03
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【电子精选】分享-功率因数校正(Power Factor Correction)-KIA MOS管
PFC的英文全称为“Power Factor Correction”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量（视在功率）之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量（视在功率）的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力...www.kiaic.com/article/detail/3377.html 2022-03-03
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【电子干货】通过IGBT热计算优化电源设计-KIA MOS管
某些IGBT是单裸片组件，要么结合单片二极管作，要么不结合二极管；然而，大多数IGBT结合了联合封装的二极管。大多数制造商提供单个θ值，用于计算结点至外壳热阻抗。www.kiaic.com/article/detail/3376.html 2022-03-01
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【分享】IGBT和MOSFET功率模块NTC温度控制-KIA MOS管
温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内部温度传感器 (体二极管)，但其他方法也可以用来监控温度。www.kiaic.com/article/detail/3375.html 2022-03-01
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分享几种一键开关机电路方案【图文详解】-KIA MOS管
电路工作流程如下：A、 Key按下瞬间，Q2、Q1导通，7805输入电压在8.9V左右，7805工作，输出5V电压给单片机供电。B、单片机工作后，将最先进行IO口初始化，IO1设为输入状态，启用内部上拉；IO2设为输出状态，输出高电平。这时Q2、Q3导通，LED1发光，7805能够正常...www.kiaic.com/article/detail/3374.html 2022-02-28
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【电路分享】N沟道、P沟道MOSFET开关电路图-KIA MOS管
如图1所示，使用了P沟道的内置二极管的电路，此处二极管的主要作用是续流作用，电路是锂电池充放电电路，当外部电源断开时采用锂电池进行内部供电，即+5V电源断开后Q1的G极为低电平，S极和D极导通，为系统供电。www.kiaic.com/article/detail/3373.html 2022-02-28
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高压MOS管KNX42150A代替3n150 2.8A/1500V 光伏汇流箱-KIA MOS管
高压MOS管KNX42150A高压MOS管42150产品特征：高速转换RDS(ON)，typ.=6.5Ω@VGS=10V全隔离式TO-3PF塑料封装www.kiaic.com/article/detail/1379.html 2022-02-28
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PMOS管-3.5A-20V KIA2305 规格参数 SOT-23 原厂直销-KIA MOS管
PMOS管-3.5A-20V KIA2305产品特征VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5AVDS=-20V,R DS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0AVDS=-20V,R DS(on)=0.095Ω@VGS=-1.8V,ID=-1.8Awww.kiaic.com/article/detail/3371.html 2022-02-25
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开关电源-用于电源SiP的半桥MOSFET集成方案研究-KIA MOS管
为提高大功率电源SiP 效率，一般将传统开关电源拓扑中的续流二极管同步MOSFET 取代形成如图1 所示的同步开关电源拓扑，2 个MOSFET Q1 和Q2 形成半桥结构。MOSFET 是影响电源效率、热环境等性能的关键器件。www.kiaic.com/article/detail/3368.html 2022-02-25
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【分享】氮化镓芯片组实现高效率、紧凑的反激式电源-KIA MOS管
氮化镓芯片组--它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。www.kiaic.com/article/detail/3367.html 2022-02-25
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系统中采用低端驱动器的常见应用-KIA MOS管
在许多中低功率应用中，低侧（接地参考）MOSFET由PWM控制IC的输出引脚驱动，以切换感性负载。如果PWM输出电路可以以可接受的开关时间驱动MOSFET而不会耗散过多功率，则此解决方案是可以接受的。随着系统功率需求的增长，开关和相关驱动电路的数量也随之增加。随...www.kiaic.com/article/detail/3366.html 2022-02-24