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MOS管驱动器,MOSFET驱动器电路-KIA MOS管
最理想的 MOSFET 驱动器电路如图1所示。这种配置常用于升压（boost）、反激式和单开关的正激开关电源拓扑结构中。采用正确的布板技巧和选择合适的偏置电压旁路电容，可以使 MOSFET 栅极电压得到很好的上升和下降时间。除了在偏置电压增加本地旁路电容外，MOSFE...www.kiaic.com/article/detail/5252.html 2024-10-16
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130A 100V场效应管,KNX2910B中文资料,mos管原厂-KIA MOS管
KNX2910B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，提供优异的Rdson，RDS（ON）值为9mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；低栅极电荷，完全表征雪崩电压和电流，具有高EAS的良好稳定性和均匀性，性能稳定可靠；专用于电源...www.kiaic.com/article/detail/5251.html 2024-10-15
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三极管驱动mos管,三极管和MOS管驱动-KIA MOS管
VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较高，要想使其充分导通，其栅极驱动电压一般要求≥10V。www.kiaic.com/article/detail/5250.html 2024-10-15
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mos管的驱动电阻,mos管驱动电阻计算-KIA MOS管
L为PCB走线电感，一般直走线为1nH/mm，考虑杂七杂八的因素，取L = Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号是12V峰值的方波，Cgs为MOSFET栅源极电容，不同管子及不同的驱动电压会不一样，取1nF。www.kiaic.com/article/detail/5249.html 2024-10-15
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100v130amos管,封装TO-220,KNP2910A场效应管参数-KIA MOS管
KNP2910A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，RDS（ON）值为5mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；100%雪崩测试，可靠坚固；无铅环保器件(符合RoHS标准)，绿色环保，专用于17串-21串保护板、同步整流、无...www.kiaic.com/article/detail/5248.html 2024-10-14
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MOS管驱动电机电路,电机正反转电路分享-KIA MOS管
利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而在输出低电平时，下拉驱动管本身就工作在线性区，可以保证输出低电平位GND。www.kiaic.com/article/detail/5247.html 2024-10-14
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lm386功放电路,lm386音频放大电路图-KIA MOS管
由 Vcc 供电的 LM386 使用电阻器 R1 和电容器 C2。这是为了防止电路振荡。电阻R2和电容C3在上述电路中起着重要作用，因为它改变了输出中获得的输出增益。增加一个10uF的单个电容器将有助于获得最大增益。与电阻R2一起使用将获得约50db的增益。C3 的正极端子应连...www.kiaic.com/article/detail/5246.html 2024-10-14
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保护板专用mos管,150A 80V,KNB2808A场效应管现货-KIA MOS管
KNB2808A是一款10串-16串保护板专用MOS管，漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优秀栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；100%雪崩测试，可靠且坚固，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），高效环保，在切换应用...www.kiaic.com/article/detail/5245.html 2024-10-12
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增强型mos管工作原理,增强型mos管的开启电压-KIA MOS管
增强型MOS管的工作原理基于栅源电压（VGS）的控制。当栅源之间不加电压时，漏源之间的PN结是反向的，因此不存在导电沟道，即使漏源之间加了电压，也不会有电流通过。当栅源之间加正向电压到一定值时，漏源之间会形成导电通道，这个使导电沟道刚刚形成的栅源电压...www.kiaic.com/article/detail/5244.html 2024-10-12
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耗尽型mos管和增强型mos管的区别-KIA MOS管
导通状态增强型MOS管：需要外部正向偏置电压才能导通。耗尽型MOS管：在零门源电压下即可导通。关断状态增强型MOS管：在关断状态下无载流子通道。耗尽型MOS管：存在固有载流子通道，不需要外部电压来维持导通状态。www.kiaic.com/article/detail/5243.html 2024-10-12
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电机驱动mos管,KIA35P10AD场效应管参数,TO-252-KIA MOS管
KIA35P10AD场效应管采用先进的沟槽MOSFET技术，在电机控制和驱动、电池管理、UPS不间断电源中热销，漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ，RDS（ON）值为32mΩ，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；优秀的QgxRDS（on）产品（...www.kiaic.com/article/detail/5242.html 2024-10-12
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TDA2030功放电路,TDA2030单电源接法-KIA MOS管
OTL功放的形式：采用单电源，有输出耦合电容。如图所示电路中的R5（150kΩ）与R4（4.7kΩ）电阻决定放大器闭环增益，R4电阻越小增益越大，但增益太大也容易导致信号失真。两个二极管接在电源与输出端之间，是防止扬声器感性负载反冲而影响音质。C3（0.22uF）电...www.kiaic.com/article/detail/5241.html 2024-10-11
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双电源功放电路图,双电源功放电路分享-KIA MOS管
当信号电压是正半周的时候，VT1正向导通，VT2截止，+VCC通过VT1的c-e结，流过负载，从而在负载上得到放大后的正半周信号；当信号电压是负半周的时候，VT1截止，VT2正向导通，-VCC经负载与VT2的e-c结到负电源，从而在负载上获得放大的负半周信号。正负半周信号在...www.kiaic.com/article/detail/5240.html 2024-10-11
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80v 80a代替,保护板mos管,KNB3308B场效应管参数-KIA MOS管
KNB3308B是一款10-16串保护板专用MOS管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ，低导通电阻最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，确保锂电池保护板的性能稳定可靠；此外，它还具有高雪崩电流，能够应对各种复杂的应用场景，采用无铅绿色设...www.kiaic.com/article/detail/5239.html 2024-10-10