|
|
|
结果: 找到相关主题 5081 个
-
直流偏置,直流偏置的作用,直流偏置电路-KIA MOS管
直流偏置，交流电力系统中存在直流电流或电压成分的现象称为直流偏置。偏置电路也称为直流分压网络或偏移电路，在电子设备和集成电路中常用于控制晶体管、场效应管等半导体器件的工作点，使其稳定在某个特定的工作状态。www.kiaic.com/article/detail/4778.html 2024-02-19
-
9n50场效应管参数,代换,KIA4750S引脚图参数-KIA MOS管
KIA4750S场效应管具有稳定可靠的性能，漏源电压为500V，漏极电流为9.0A，它的RDS(on)为0.7Ω，在VGS = 10 V时能够产生较低的电阻。这款场效应管还具有低栅电荷特性，能够最小化开关损耗。此外，它还配备了快速恢复体二极管，加强了其性能表现，KIA4750S封装形式...www.kiaic.com/article/detail/4777.html 2024-02-18
-
密勒补偿详解，运算放大器密勒补偿-KIA MOS管
密勒补偿的作用是将放大器的主极点向低频移动，同时将非主极点向高频移动，从而实现极点分离。这样做可以减小甚至消除零点对系统稳定性的影响。在等效电路中，密勒补偿可以使低频极点被压低1+A倍，其中A是密勒电容值。通过这种方式，可以提高系统的相位裕度，从...www.kiaic.com/article/detail/4776.html 2024-02-18
-
乙类功率放大器的特点、原理、电路-KIA MOS管
乙类功率放大器也称为B类功率放大器，也是一种线性放大器。甲类放大器的效率低，一般仅用小功率放大或信号放大使用，真正用于大功率放大的是乙类（B类）或甲乙类（AB类）功放。www.kiaic.com/article/detail/4775.html 2024-02-18
-
irf840参数引脚图,irf840场效应管代换,KIA840中文资料-KIA MOS管
KIA840场效应管具有500V 8A的参数，能够满足高压高电流的需求。这款场效应管的RDS（ON）参数仅为0.7Ω（典型值）在VGS=10V时，这意味着它具有非常低的电阻，能够有效降低能量损耗。KIA840场效应管能够代换irf840型号进行使用，KIA840封装有TO-252、TO-263、TO-...www.kiaic.com/article/detail/4774.html 2024-02-04
-
电容降压电路,电容降压LED驱动、锂电池充电电路-KIA MOS管
电容降压电路是一种常见的小电流电源电路，具有体积小、成本低、电流相对恒定等优点。?将交流市电转换为低压直流的常规方法是采用变压器降压后再整流滤波，当受体积和成本等因素的限制时，最简单实用的方法就是采用电容降压式电源。www.kiaic.com/article/detail/4773.html 2024-02-04
-
【电路精选】整流二极管rc吸收电路设计KIA MOS管
此处的RCD吸收设计，可以这样认为：为了吸收振荡尖峰，C应该有足够的容值，已便在吸收尖峰能量后，电容上的电压不会太高，为了平衡电容上的能量，电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉，所以理想的参数搭配，是电阻消耗的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此时...www.kiaic.com/article/detail/4772.html 2024-02-04
-
irf830场效应管参数,引脚图,830场效应管参数代换-KIA MOS管
HD安定器热销型号KIA830场效应管具有漏源电压高达500V和漏极电流达到5A的强大性能，其开启状态下的电阻为1.0Ω，能够提供稳定可靠的电流流动。KIA830场效应管封装形式有：TO-220、TO-252两种www.kiaic.com/article/detail/4771.html 2024-02-03
-
耗散功率是什么，耗散功率计算公式分享-KIA MOS管
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。www.kiaic.com/article/detail/4770.html 2024-02-03
-
体效应,体效应公式,MOS管体效应衬偏效应-KIA MOS管
上式反应了增大VSB会导致 Vt的增加，尽管VGS保持恒定的情况下也会增大ID 。换句话说，VBS同样能控制ID的大小，因此体极和栅极具有相同的控制ID的能力，这个效应称为体效应 。这里 γ 称为体效应参数。www.kiaic.com/article/detail/4769.html 2024-02-03
-
充电模块,500v 13a mos管,KNX6450A场效应管参数-KIA MOS管
KNX6450A场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON），典型=0.40Ω@VGS=10V；具备低栅极电荷，最小化了开关损耗，能够稳定可靠地工作，同时具备快速恢复体二极管，提供了更高效的性能表现。www.kiaic.com/article/detail/4768.html 2024-02-02
-
mos管调光电路，led调光电路，简易好用-KIA MOS管
MOS管的栅极放了一个电容，当按按键1的时候，电源通过R1给电容充电，，MOS管栅极的电压慢慢增大，流过MOS管的电流也慢慢增大，LED慢慢变亮。中间若松开按键，则LED会保持当前的这一亮度。www.kiaic.com/article/detail/4767.html 2024-02-02
-
led亮度调节电路,简单好用,原理图分享-KIA MOS管
LED的亮度取决于输出电压。由于稳压器是可变的，因此LED的亮度也是可变的。电位计P1用于粗略调整，而P2用于以更精细的分辨率调整亮度。稳压器电路的输出可在0至4.3伏范围内变化。www.kiaic.com/article/detail/4766.html 2024-02-02
-
调光器模块mos管,KNX7650A场效应管,500V 25A参数资料-KIA MOS管
KNX7650A场效应管采用高级平面工艺制造，具备漏源电压500V和漏极电流25A的特性，RDS（ON）（典型值）为170mΩ@VGS=10V，封装形式：TO-220F、TO-3P；KNX7650A是一款在电气设备、调光器模块、充电模块领域的专用MOS管。www.kiaic.com/article/detail/4765.html 2024-02-01