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可控硅由关断转为导通,除阳极要承受正向电压外,门极还要加上适当的触发电压,改变触发脉冲输出时刻便可达到改变输出直流电压的目的。为门极提供触发电压和电流的电路叫触发电路。在设计可控硅(SCR)触发电路时,可控硅(SCR)整个区域的运行很大程度上取决于...
www.kiaic.com/article/detail/4764.html 2024-02-01
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反相器之所以叫反相器,是因为输出和输入信号的相位相反,而跟随器的相位相同。反相器是可以将输入信号的相位反转180度,这种电路应用在模拟电路,比如说音频放大,时钟振荡器等。
www.kiaic.com/article/detail/4763.html 2024-02-01
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KIA75NF75场效应管漏源击穿电压为80V,漏极电流为80A,RDS(ON)参数为7mΩ(典型值)@VGS=10V,能够最大限度地减少导电损耗。这款场效应管还具备无铅和绿色设备的特点,符合环保要求。它采用了先进的技术,以确保低Rds开启,减少了导电损耗,使其具备更高的效...
www.kiaic.com/article/detail/4762.html 2024-01-31
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锂电池充放电控制芯片对电池组内的每一节电池电压进行采样,并与内部的精密基准电压进行比较,当任意一节电池处于过压或欠压状态时,芯片就会进行相应的控制,以防止进一步充电或放电,图中,Q1、Q2为P沟道MOSFET管,分别控制充电和放电电流。
www.kiaic.com/article/detail/4761.html 2024-01-31
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耗尽层(depletion region),又称耗尽区、阻挡层、势垒区(barrier region),是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。
www.kiaic.com/article/detail/4760.html 2024-01-31
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高压场效应管KCX9860A漏源击穿电压600V,漏极电流47A;具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS(ON)、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性;KCX9860A封装形式:TO-220F...
www.kiaic.com/article/detail/4759.html 2024-01-30
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场效应管是一种控制型半导体器件,是一种输入电阻很高的半导体器件,它是利用输入电压控制输出电流的,它的输入端几乎不需要电流,所以它是一种电压控制元件。
www.kiaic.com/article/detail/4758.html 2024-01-30
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滤波电路的基本作用是让某种频率的电流通过或阻止某种频率的电流通过。另外是尽可能减小脉动的直流电压中的交流成分,保留其直流成分,使输出电压纹波系数降低,波形变得比较平滑。根据幅频特性所表示的通过或阻止信号频率范围的不同,滤波器可分为低通滤波器(...
www.kiaic.com/article/detail/4757.html 2024-01-30
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pc电源,pd电源MOS管KNX4890A采用专有新型平面技术,漏源电压900V,漏极电流9.0A,RDS(ON)=1.2Ω(典型值)@VGS=10V,具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管特性,是一款高效优质的大功率场效应管。
www.kiaic.com/article/detail/4756.html 2024-01-29
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当pn结反向偏置时,耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此,由于量子隧穿效应,电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象。
www.kiaic.com/article/detail/4755.html 2024-01-29
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输出类型:固定 最大输入电压:24V 输出电流:100mA 输出电压(最小值/固定值):5V
www.kiaic.com/article/detail/4754.html 2024-01-29
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KIA78L08是单片固定电压调节器集成电路。它适用于需要高达100mA供电电流的应用。KIA78l08三端稳压管其特点是输出电流高达100mA,无需外部零件,内置热过载停机保护和短路电流限制功能。其封装采用SOT89封装。
www.kiaic.com/article/detail/4753.html 2024-01-26
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一般的锂电池保护板由控制IC、MOS管、电阻电容、保险丝FUSE等组成。其中控制IC,在一切正常的情况下控制MOS开关导通,使电芯与外电路沟通,而当电芯电压或回路电流超过规定值时,它立刻控制MOS开关关断,保护电芯的安全。
www.kiaic.com/article/detail/4752.html 2024-01-26
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反向击穿(Reverse Bias Breakdown):当在MOS管的栅极和源/漏极之间施加反向电压时,电场强度可能足够大,使氧化层内的电子能够穿越氧化层,形成导通通道,导致漏电流增加。
www.kiaic.com/article/detail/4751.html 2024-01-26