s - 广东可易亚半导体科技有限公司

crss052n08n参数,52n08n代换,保护板专用-KIA MOS管

KIA半导体KCX3008A型号场效应管能够完美匹配crss052n08n型号参数场效应管。KCX3008A漏源击穿电压85V, 漏极电流最大值为120A ,RDS(on) =4.5mΩ(typ)@VGS=10V，采用先进的SGT技术，开关速度快，高效能低损耗；适用于锂电池保护板（13-16串）。

0 次查看 crss052n08n参数 52n08n代换保护板专用-KIA MOS管

www.kiaic.com/article/detail/4508.html 2023-09-25

或非门详解,或非门的逻辑表达式-KIA MOS管

或非是逻辑或加逻辑非得到的结果。或非是一种具有函数完备性的运算，因此其他任何逻辑函数都能用或非门实现。相比之下，逻辑或运算器是一种单调的运算器，其只能将低电平变为高电平，但不能将高电平变为低电平。

0 次查看或非门的逻辑表达式-KIA MOS管

www.kiaic.com/article/detail/4507.html 2023-09-25

led驱动芯片介绍,led驱动芯片方案-KIA MOS管

LED驱动芯片是电路板上的一种小型集成电路，是一种能够控制LED电流和亮度的集成电路，主要作用是将电源提供的直流电转化为LED所需要的恒定电流或者电压。

0 次查看 led驱动芯片介绍 led驱动芯片方案-KIA MOS管

www.kiaic.com/article/detail/4506.html 2023-09-25

NCE01P18参数及代换,nce01p18引脚,7910A-KIA MOS管

KIA半导体这款KPD7910A型号场效应管能够完美匹配NCE01P18型号参数?场效应管。7910A?为低压大电流功率场效应管，-28A ,-100V, RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，开关速度快。?广泛应用于电机控制与驱动、电池管理、不间断电源中，高效质优。

2 次查看 NCE01P18参数及代换 nce01p18引脚 7910A-KIA MOS管

www.kiaic.com/article/detail/4505.html 2023-09-22

vdd详解,vdd在电路中代表什么？-KIA MOS管

Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。vdd在电路中代表什么？vdd在电路中代表电源电压;

0 次查看 vdd详解

www.kiaic.com/article/detail/4504.html 2023-09-22

碳化硅管,碳化硅器件,碳化硅半导体-KIA MOS管

碳化硅管是一种特殊的管道材料，广泛应用于多个领域。碳化硅管具有强度高、硬度高、耐磨性好、耐高温、耐腐蚀、抗热抗震性好、导热系数大以及抗氧化性好等优越性能。长度标准可根据实际需求定做。

0 次查看碳化硅管碳化硅器件碳化硅半导体-KIA MOS管

www.kiaic.com/article/detail/4503.html 2023-09-22

3n150场效应管参数,3n150代换,2SK2225参数代换-KIA MOS管

MOS管42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流最大值为3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@VGS=10V，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，高效稳定。42150A型号产品可完美代换3N150、2SK2225使用，42150A交货周期短，价格优惠，优质原...

5 次查看 3n150场效应管参数 3n150代换 2SK2225参数代换-KIA MOS管

www.kiaic.com/article/detail/4502.html 2023-09-21