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n型半导体,n型半导体形成及特点分析-KIA MOS管
半导体是一种导电性介于导体和绝缘体之间的一种材料。半导体中有两种载流子--价带中的空穴和导带中的电子。以电子导电为主的半导体就称之为N型半导体,与N型半导体相对的,是以空穴导电为主的P型半导体。www.kiaic.com/article/detail/4494.html 2023-09-19
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28n50场效应管参数,28n50代换,28A 500V,逆变器-KIA MOS管
高压大功率MOS管KIA28N50漏源击穿电压高达500V，漏极电流最大为28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，适用于车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等。封装形式：TO-3P、TO-220F。www.kiaic.com/article/detail/4493.html 2023-09-18
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轻松快速判断发光二极管正负极-KIA MOS管
观察发光二极管，引脚长的为正极，短的为负极。所有的发光二极管无论什么颜色正负极都是固定的。www.kiaic.com/article/detail/4492.html 2023-09-18
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变频加热电源原理,变频感应加热电源-KIA MOS管
由此可以看出，当FC增大时，S变小，则集肤深度越深，同时其交流阻抗Z= KZC（FC）1/2也变大，因此在相同数值的电流作用下，负载所获得的能量也越高，而电流及线路损耗相应地也会变小，从而提高了加热效率，同时还可起到节约电能的目的。www.kiaic.com/article/detail/4491.html 2023-09-18
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KCX2904A场效应管 130A 45V参数 MOS管资料-KIA MOS管
KCX2904A漏源击穿电压45V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=2.0mΩ@Vgs=10V，开启延迟典型值为16nS，关断延迟时间典型值为44nS，上升时间18.3nS，下降时间11.5nS，反向传输电容110pF，反向恢复时间98nS，正向电压的典型值0.78V。封装形式：TO-263、TO...www.kiaic.com/article/detail/4490.html 2023-09-15
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稳压二极管电路大全,应用电路分享-KIA MOS管
稳压二极管由于具有稳压作用，因此在很多电路当中均有应用，广泛用在稳压电源、电子点火器、直流电平平移、限幅电路、过压保护电路、补偿电路等当中。www.kiaic.com/article/detail/4489.html 2023-09-15
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稳压管工作原理,应用电路,作用介绍-KIA MOS管
稳压二极管（齐纳二极管）是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管；是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。www.kiaic.com/article/detail/4488.html 2023-09-15
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2408A场效应管 190a 80v 参数引脚图-KIA MOS管
MOS管KNX2408A：漏源击穿电压80V，漏极电流最大值为190A；RDS (on) = 3.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX2408A采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷，高效稳定。广泛应用于无刷电机、不间断电源等产品。www.kiaic.com/article/detail/4487.html 2023-09-14
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继电器电路图大全,原理图,接线图详解-KIA MOS管
继电器是控制电路中常用的一种元件，利用电磁感应原理，控制某一回路的接通或断开，实现用小电流控制大电流，从而减小控制开关触点的电流负荷，保护开关触点不被烧蚀。电磁式继电器一般由铁芯、线圈、衔铁、回位弹簧、触点等组成。www.kiaic.com/article/detail/4486.html 2023-09-14
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一看就懂,手机充电器电路图及原理讲解-KIA MOS管
该电路属于自励、反激式、变压器耦合型、PWM开关电源；电源变换过程：交流（AC，输入市电）→直流（DC）→交流（AC，高频）→直流（DC，输出）；电路由整流、振荡、稳压、保护四大系统组成。www.kiaic.com/article/detail/4485.html 2023-09-14
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HY3210场效应管代换2910A HY3210参数 引脚图-KIA MOS管
MOS管KNX2910A漏源击穿电压100V，漏极电流最大值为130A；低内阻：5Ω，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，高效稳定。www.kiaic.com/article/detail/4484.html 2023-09-13
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沟道长度调制效应公式,特性曲线-KIA MOS管
以在加栅压Vgs且形成导电沟道的情况下的NMOSFET为例。若漏源电压Vds增大至不可忽略，沟道电压降增大直至Vgd=VT时，由于栅漏之间电压差降低，漏端附近反型层消失，称为沟道夹断。www.kiaic.com/article/detail/4483.html 2023-09-13
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二极管类型及符号大全,含义图文详解-KIA MOS管
二极管是用半导体材料制成的一种电子器件，由PN结、外部引线、管壳封装而成，文字符号为VD。www.kiaic.com/article/detail/4482.html 2023-09-13
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3406场效应管参数引脚图 60V80A场效应管-KIA MOS管
MOS管KCX3406A：漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。www.kiaic.com/article/detail/4481.html 2023-09-12