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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5075 个

  • 什么是寄生效应?功率级寄生效应详解-KIA MOS管

    寄生效应:就是本来没有在那个地方设计电容或电感甚至电阻,然而因为某些因素如结构之间、PCB布线、管脚引线、通孔质量、焊盘到地距离、焊盘到电源平面距离、和焊盘到印制线之间、材料差异、器件封装、封装引脚和印制线过长等,特别是在高速电路中而表现出来的...

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    www.kiaic.com/article/detail/4380.html         2023-07-25

  • ldo和dcdc的原理及选型标准介绍-KIA MOS管

    DC/DC电源指直流转换为直流的电源,从这个定义上看,LDO(低压差线性稳压器)芯片也应该属于DC/DC电源,但一般只将直流变换到直流,且这种转换是通过开关方式实现的电源称为DC/DC电源。

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    www.kiaic.com/article/detail/4379.html         2023-07-25

  • ​共射、共基放大电路频率特性差异原因分析-KIA MOS管

    根据上图所示,三极管的输入电容 Ci 与基极寄生电阻 rb 形成低通滤波器,其中,输入电容 Ci 是(1 + Av)倍的 Cbc 和 Cbe 之和。因此,在高频范围,共射放大电路的放大倍数必然下降。

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    www.kiaic.com/article/detail/4378.html         2023-07-24

  • 共集基本放大电路的特性仿真分析-KIA MOS管

    从以上的仿真结果可以看出,静态参数基本一致的共射、共基和共集放大电路相比,共集放大电路的上限截止频率比共射和共基均高很多,说明共集放大电路的高频特性好。

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    www.kiaic.com/article/detail/4377.html         2023-07-24

  • 共基放大电路特性的仿真分析图解-KIA MOS管

    从以上的仿真结果可以看出,参数基本一致的共射和共基放大电路,电压放大倍数相当,但是共基放大电路的上限截止频率比共射高很多。说明共基放大电路的高频特性好,这也是共基放大电路常用于高频振荡电路中的原因。

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    www.kiaic.com/article/detail/4376.html         2023-07-24

  • 08065A碳化硅二极管650V SSP08065A原厂现货送样-KIA MOS管

    碳化硅二极管650V SSP08065A-优势更高的过电压安全裕度提高了所有负载条件下的效率与硅二极管替代品相比提高了效率

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    www.kiaic.com/article/detail/4375.html         2023-07-21

  • 通过仿真分析共射基本放大电路的特性-KIA MOS管

    能够稳定静态工作点的共射放大电路如图 1 所示,也称为分压式偏置阻容耦合共射放大电路。 射极偏置电阻 Re 具有直流负反馈作用,可以稳定静态工作点。

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    www.kiaic.com/article/detail/4374.html         2023-07-21

  • 二极管的正向导通、反向截止等效电路-KIA MOS管

    二极管正向导通时可用一电压降等效,该电压与温度和所流过的电流有关,温度升高,该电压变小;电流增加,该电压增加。

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    www.kiaic.com/article/detail/4373.html         2023-07-21

  • 碳化硅二极管​650V SSP06065A参数资料 原厂供应报价-KIA MOS管

    更高的过电压安全裕度提高了所有负载条件下的效率与硅二极管替代品相比提高了效率降低散热器要求

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    www.kiaic.com/article/detail/4372.html         2023-07-20

  • ​【开关电源】电路电容选型分析-KIA MOS管

    吸收电路的电容选型,如下图所示,在开关电源中,在MOS管或二极管上并联电容吸收尖峰是很常见的电路,那么这颗电容该如何去选择呢?

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    www.kiaic.com/article/detail/4371.html         2023-07-20

  • ​MOS管封装和参数的关系,如何选择合适封装-KIA MOS管

    在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下,选取参数和封装更通用的功率MOS管。

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    www.kiaic.com/article/detail/4370.html         2023-07-20

  • 超结MOS选型 超结场效应管600V型号齐全 原厂供应-KIA MOS管

    KIA设计生产的超结场效应管用先进的耐压原理和优化的设计结构,全新600~900V系列产品为系统应用提供充足的耐压余量,简化系统设计难度,提高系统可靠性,满足客户对高耐压、低导通内阻和高效超结MOSFET的需求。

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    www.kiaic.com/article/detail/4369.html         2023-07-19

  • 运算放大器:运放参数-建立时间分析-KIA MOS管

    放大器的建立时间是当运输入为阶跃信号时,运放的输出响应进入并保持在规定误差带所需的时间。

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    www.kiaic.com/article/detail/4368.html         2023-07-19

  • 【电子电路】防反接保护电路分类-KIA MOS管

    大致可以根据防反接保护器件分为电阻,二极管,电阻||二极管,NMOS 和 PMOS 几种类型,而根据防反接保护电路的位置,又可以分为 VCC 端和 GND 端。

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    www.kiaic.com/article/detail/4367.html         2023-07-19

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