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这一类的电路通常用于低成本取得非隔离的小电流电源。它的输出电压通常可在几伏到三几十伏,取决于所使用的齐纳稳压管。所能提供的电流大小正比于限流电容容量。
www.kiaic.com/article/detail/4408.html 2023-08-07
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降压变换器原理图如图1所示,当开关闭合时,加在电感两端的电压为(Vi-Vo),此时电感由电压(Vi-Vo)励磁,电感增加的磁通为:(Vi-Vo)*Ton。
www.kiaic.com/article/detail/4407.html 2023-08-07
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m7二极管,其尺寸都是46MIL,是一小电流、贴片二极管。M7的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。M7采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。M7的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,其中有...
www.kiaic.com/article/detail/4406.html 2023-08-07
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KIA65r300功率MOSFET是使用KIASemi先进的超级结技术生产的。这项先进的技术经过专门定制,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度等提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。
www.kiaic.com/article/detail/4405.html 2023-08-04
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在NMOS器件中,通过使栅极电压高于源极电压来使导通FET接通。通常,源极电压与VIN端子处于相同电势。要使栅极和源极间产生上述电压差,需要一个电荷泵。使用电荷泵将增大器件的静态电流。
www.kiaic.com/article/detail/4404.html 2023-08-04
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负载开关是用于开启和关闭系统中的电源轨的电子继电器。在很多电路中,一个电源可能对应多个负载,有时候要切换负载的供电,有时候要对负载进行限流,通常的方法可以用PMIC去操作不同的负载,也可以使用负载开关去操作。
www.kiaic.com/article/detail/4403.html 2023-08-04
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KIA65R190这种功率MOSFET是使用KIA半导体Semi先进的超级结技术生产的。这项先进的技术经过专门定制,可最大限度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合开关模式操作中的AC/DC功率转换,以获得更高的效率。作...
www.kiaic.com/article/detail/4402.html 2023-08-03
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肖特基二极管具有较小的前向电压,因此VCC端串入肖特基二极管,也是一种防反接的方法。
www.kiaic.com/article/detail/4401.html 2023-08-03
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直流电源驱动:直流电源驱动是最常见的步进电机驱动方式,原理是将直流电源给定子绕组提供直流电流,定子绕组产生磁场,而转子绕组的磁铁受到定子磁场的作用,转子绕组产生磁力,从而转动转子。
www.kiaic.com/article/detail/4400.html 2023-08-03
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漏源电压:600V栅源电压:±30A漏电流连续:12A脉冲漏极电流:48A
www.kiaic.com/article/detail/4399.html 2023-08-02
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这是一种非常流行的驱动装置,用于具有四根导线的两相双极电机。在一个完整的驱动器/控制器中,电子器件交替地逆转每相的电流。所述的两相步进序列采用了 "双极线圈绕组"。每一阶段由一个单一的绕组组成。通过颠倒绕组中的电流,电磁极性被颠倒。
www.kiaic.com/article/detail/4398.html 2023-08-02
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开关电源的损耗主要包括开关器件和二极管的传导损耗(导通损耗)以及开关损耗(交叉损耗或者动态损耗、开关损耗);当然还有在L、C上的传导损耗(等效DCR和ESR上的损耗)。
www.kiaic.com/article/detail/4397.html 2023-08-02
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10n65场效应管是针对储能电源,有更耐冲击,同等参数雪崩更高的MOSFET。
www.kiaic.com/article/detail/4396.html 2023-08-01
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续流二极管都是并联在线圈的两端;线圈在通过电流时;会在其两端产生感应电动势。当电流消失时;其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时;会把原件如三极管;等造成损坏。
www.kiaic.com/article/detail/4395.html 2023-08-01