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功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC/DC变换器、DC/DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。
www.kiaic.com/article/detail/342.html 2018-03-27
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工作频率和驱动信号的占空比不是很大,并且VMOS的功率规格也不是很大时,普通并不需求为VMOS配置特地的驱动电路。通用的CMOS半导体(互补金属氧化物品体管逻辑IC)、TTL(晶体管逻辑)集成电路、常见的PWM专用IC的输出级都能够直接驱动VMOS。这种驱动方式普通适用...
www.kiaic.com/article/detail/370.html 2018-03-27
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上一节讨论的2级结构OP放大器的输出级是源极接地电路。现在讨论这种2级结构OP放大器的输出级驱动负载电阻的情况。如图9.21(a)所示,当Vout降低,自RL流入输出端的电流(吸收电流)增加时,n沟MOS晶体管M2的栅极电压上升。就是说,VGS2增加,M2的电流驱动才干增...
www.kiaic.com/article/detail/451.html 2018-03-23
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MOS管的工作原理及表示符号根据导通沟道的载流子性质MOS管可分为NMOS管(即N沟道MOS管)与PMOS管(即P沟道MOS管)。NMOS管是指其导电沟道中的导电电荷为电子,而PMOS管则是指其导电沟道中的导电电荷为空穴。根据沟道的导通条
www.kiaic.com/article/detail/467.html 2018-03-23
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无源器件1.电阻没有硅化物阻挡层掩模的工艺中,按方块电阻值R□增大的顺序可分为:金属、硅化的多品硅、源/漏P、或N+材料、N阱等。金属层可以为电路提供阻值很小的电阻。在CMOS工艺中,—般用铝线作为电阻,但是在用
www.kiaic.com/article/detail/470.html 2018-03-23
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在金属栅与硅栅技术的NMOS和CMOS工艺中,可以制作此类电阻,它是与MOS管的源/漏区同时制成的,其剖面结构如图1.21所示。该类电阻的方块电阻值为R□=20~100Ω(最大为lMΩ),在需要较大电阻时,需要很多方块(如1MΩ时,需10000方块),占用很大面积,所以一般...
www.kiaic.com/article/detail/469.html 2018-03-23
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串联什么是串联?串联是指两个或两个以上物体并行相连串接在一同,就似乎一列火车,各个高速公路串联在一起。电子技术中的串联主要有元器件的串联、电路的串联、电气设备的串联等。在元器件的
www.kiaic.com/article/detail/475.html 2018-03-23
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功率电功率简称功率,魁指电能在单位时间所做的功,或者说是表示电能转换为其他方式能量的速率。功率的符号是“P”。功率的单位为瓦特,简称瓦,用字母“W”表示。功率在数值上等于电压与电流的乘积,即P=UI。例如,某盏电灯
www.kiaic.com/article/detail/480.html 2018-03-22
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快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二...
www.kiaic.com/article/detail/487.html 2018-03-22
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功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载,带载能力要强。功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩...
www.kiaic.com/article/detail/492.html 2018-03-22
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场效应管由于具有输入阻抗非常高(可达l09~lO15Ω)、噪声低、动态变化范围大和温度系数小,且为电压控制元件等优点,因此应用也较为广泛。场效应管分结型和绝缘栅(即MOS)型两大类。
www.kiaic.com/article/detail/496.html 2018-03-22
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MOS管种类MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制构成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管(JFET)
www.kiaic.com/article/detail/513.html 2018-03-22
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增强型NMOS管的工作原理当NMOS管的栅极与源极短接(即NMOS管的栅/源电压VGS=O)时,源区(N+型)、衬底(P型)和漏区(N+型)形成两个背靠背的PN结,不管NMOS管的漏/源电压VDS的极性如何,其中总有一个PN结是反偏的,所以NMOS管源极与漏极之间的电阻
www.kiaic.com/article/detail/515.html 2018-03-22
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电机是靠MOS的输出电流来驱动的,输出电流越大(为了防止过流烧坏MOS管,控制器有限流保护),电机扭矩就强,加速就有力。
www.kiaic.com/article/detail/527.html 2018-03-22