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电容,什么是电容,它的作用是什么,详解!-MOS管
在MOS模拟集成电路中，电容也是一种不可或缺的元件，由于其易于与MOS器件相匹配，制造较易，且工艺制造的匹配精度比电阻好，所以得到了较广泛的应用。在CMOS电路中，人多数电容都用Si02作为介质，但也有某些工艺中采用Si02/Si3N4夹层介质，利用Si3N4较高的介电...www.kiaic.com/article/detail/538.html 2018-03-22
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开关电源mos管-开关电源mos管有几种选型设计方法详解
MOS管最常见的应用可能是电源中的开关元件，此外，它们对电源输出也大有裨益。服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源，以支持N+1 冗余与持续工作 (图1)。各并行电源平均分担负载，确保系统即使在一个电源出现故障的情况下仍然能够继续工作。不过，这...www.kiaic.com/article/detail/587.html 2018-03-20
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电源mos-电源mos管驱动电路如何选用-详解分析-KIA MOS管
电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一，查看一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如图...www.kiaic.com/article/detail/598.html 2018-03-20
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mos逆变器-太阳能逆变器的原理及架构详解分析-KIA MOS管
通过太阳能光伏技术将太阳辐射转换成电能是现在市面上最有效也是最具发展潜力的可再生能源技术。现在，普通太阳能光伏系统都是由许多紧密相连的太阳能电池板组成。这些电池板先分组串联，再将不同的串联电池组并联起来形成电池阵列。www.kiaic.com/article/detail/725.html 2018-03-14
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碳化硅二极管-详解碳化硅二极管特点及应用优势的发展前途-KIA MOS管
碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在开关电路中不存在电流拖尾的情况具有更低的开关损耗和更高的工作频率。www.kiaic.com/article/detail/698.html 2018-03-13
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pmos开关管的选择分析与工作原理及详解-KIA MOS管
选用N沟道还是P沟道确定额定电流确定热要求：首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间...www.kiaic.com/article/detail/701.html 2018-03-13
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逆变器电路图-逆变器电路图原理详解与电路分析-KIA MOS管
在进行电源设计时，效率与可靠性都是设计者首先考虑的因素，在设计逆变电源时更是如此。逆变电源可靠性的提升对于新手们来说是一个较为头疼的问题，虽然有资料可供参考，但其中值给出了部分方法，却没有给出一些技巧或原理上的讲解www.kiaic.com/article/detail/703.html 2018-03-13
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开关电源电路-单片机开关电源电路图详解-KIA MOS管
一、单键控制单片机电源开关电路二、单片机电源双按键开关机电路三、单按键控制单片机电源开关机电路运用一个轻触开关按键分离单片机软件控制来完成单片机电源的“开”和“关”，在关机状态下电路功耗极低，是一个适用性很强的电路。www.kiaic.com/article/detail/715.html 2018-03-13
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cool mos是什么,它的作用以及采取散热措施的方法,详解
近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度遭到广阔电源规划工程师的喜爱，可是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复二极管，低Qg 和Coss能够完全满意这些需求并大大提高...www.kiaic.com/article/detail/510.html 2018-03-12
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步进马达驱动器-步进电机步进驱动器工作原理详解
步进电机是将电脉冲信号转变为角位移或线位移的开环控制元件。在非超载的状况下，电机的转速、中止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数，而不受负载变化的影响，即给电机加一个脉冲信号，电机则转过一个步f距角。这一线性关系的存在，加上步进电机只要周期性...www.kiaic.com/article/detail/584.html 2018-01-04
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mos管器件与应用,mos管文章目录大全,与分析详解！
MOS工艺技术的飞速发展，存集成电路制造产业中占有越来越重要的地位，而其中的MOS模拟集成电路也因此得以快速发展。MOS工艺能实现低电源电压、低功耗的系统，迎合了当前模拟电路的发展趋势。www.kiaic.com/article/detail/501.html 2017-11-13
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场效应管,耗尽型场mos效应管的工作原理-详解！！
耗尽型场效应管根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸收到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，构成导电沟道。N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结www.kiaic.com/article/detail/505.html 2017-10-30
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MOS管的三个极,G、S、D分别代表是什么？详解
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:如果MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发热严重，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，如果G信号驱动能力不够，将严重影响波形跳变的时间.www.kiaic.com/article/detail/147.html 2017-10-26
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功率器件,什么是功率器件,它的作用是什么,详解！
1 功率管的展开功率器件近年来曾经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通讯范畴被普遍应用的LDmos 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体...www.kiaic.com/article/detail/502.html 2017-10-20