KIA3N80H场效应管漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，在开启状态下静态电阻RDS...KIA3N80H场效应管漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，在开启状态下静态电阻RDS为4.8Ω，具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保快速的响应速度；具有高坚固性...
0805贴片电阻的功率是1/8W。0805是贴片电阻的一种封装型号，电阻的功率是根...0805贴片电阻的功率是1/8W。0805是贴片电阻的一种封装型号，电阻的功率是根据电阻封装大小、材质等因素来决定的，通常电阻的厂家会提供销售的电阻的功率参数。...
运放电压跟随器的原理是利用运算放大器的高增益特性，实现输入电压与输出电压之...运放电压跟随器的原理是利用运算放大器的高增益特性，实现输入电压与输出电压之间的线性关系。在理想情况下，输出电压与输入电压完全相等，即增益为1，因此得名“...
电解电容区分正负极：①电容套管白色银边且有“一字”标识的侧端引脚为电容负极...电解电容区分正负极：①电容套管白色银边且有“一字”标识的侧端引脚为电容负极，另一侧端引脚则为电容正极；②新的电容引脚长的为电容正极，另一引脚则为电容负极...
NMOS的导通条件是当栅极和源极之间的电压（Vgs）大于或等于阈值电压（Vth）时。...NMOS的导通条件是当栅极和源极之间的电压（Vgs）大于或等于阈值电压（Vth）时。阈值电压是一个特定的电压值，它决定了MOSFET是否导通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMO...
