10a650v场效应管,65t540 650V,KNF6165C参数引脚图-KIA MOS管
10a650v场效应管,KNF6165C参数引脚图
开关电源专用MOS管KNF6165C漏源击穿电压6500V，漏极电流10A；低导通电阻RDS（导通）0.8Ω，最小化开关损耗，快速切换，开关性能优越；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，高效稳定可靠；专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等；封装形式：TO-220F。
10a650v场效应管,KNF6165C参数
漏源电压：650V
漏极电流：10A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：40A
雪崩能量单脉冲：500MJ
总功耗：40W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：35nC
输入电容：1645PF
输出电容：130PF
反向传输电容：8PF
开通延迟时间：29nS
关断延迟时间：56nS
上升时间：25ns
下降时间：26ns
10a650v场效应管,KNF6165C规格书
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