场效应管-FET和MOS管-MOSFET在结构、工作原理和应用方面有所区别。场效应管(FE...场效应管-FET和MOS管-MOSFET在结构、工作原理和应用方面有所区别。场效应管(FET)是一个更广泛的概念，包括结型场效应管(JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(MOS-FE...
MOS管，全称金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-E...MOS管，全称金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，MOSFET。MOS管是一种半导体器件，工作原理是基于其内部的绝缘栅...
速度饱和效应：在强电场环境下，载流子的漂移速度随电场强度的增加而增加的幅度...速度饱和效应：在强电场环境下，载流子的漂移速度随电场强度的增加而增加的幅度逐渐降低，并最终趋于饱和状态的现象。
PC817光耦合器，由一个红外发射二极管（IRLED）和一个与其光耦合的光电晶体管组...PC817光耦合器，由一个红外发射二极管（IRLED）和一个与其光耦合的光电晶体管组成，具有隔离、放大和变换信号等功能，在电子电路中应用广泛。PC817利用光耦合效应...
肖特基势垒（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金属-半导体接触，即具有...肖特基势垒（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金属-半导体接触，即具有大的势垒高度，以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触，就如同二极管...
