热阻的计算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表热阻，单位是℃/W（或者开尔文...热阻的计算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表热阻，单位是℃/W（或者开尔文每瓦特 K/W）。 ΔT 是温度差，表示物体两端的温差，单位是℃。 P 是功率，表示施...
KNH2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8m...KNH2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流以减少导电损耗、高雪崩电流，性能优越，高效稳...
反相降压升压转换器使用p沟道MOSFET作为开关，但p沟道MOSFET的一大缺点是其内阻...反相降压升压转换器使用p沟道MOSFET作为开关，但p沟道MOSFET的一大缺点是其内阻。如果考虑一个通用的IRF9540 p沟道MOSFET，内阻是0.22R或220ms，但如果考虑它的互...
电路中VT1与VT2组成互补多谐振荡器，它的振荡频率约为2kHz。T是升压变压器，初...电路中VT1与VT2组成互补多谐振荡器，它的振荡频率约为2kHz。T是升压变压器，初级就是互补多谐振荡器的负载，次级为升压绕组，输出一个较高的脉冲电压。
电机控制器mos管KIA50N06BP漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启...电机控制器mos管KIA50N06BP漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 10.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低电流以减少导电损耗、高...
