MOSFET 的体效应（body-effect，也叫衬底调制效应/衬偏效应），主要是来源于 M...MOSFET 的体效应（body-effect，也叫衬底调制效应/衬偏效应），主要是来源于 MOS 管的 S-B（Source-Bulk）端之间的偏压对 MOSFET 阈值电压 vth 的影响
通过调节门极驱动电阻和电容的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大门...通过调节门极驱动电阻和电容的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大门极驱动电阻和电容来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电...
高压MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的核心是其特...高压MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的核心是其特殊的MOS结构，包括源极、漏极和栅极，以及它们之间的电压控制关系。
绝对值电路可以将输入的带有正负号的数值转换为其绝对值。这是通过对输入信号进...绝对值电路可以将输入的带有正负号的数值转换为其绝对值。这是通过对输入信号进行比较和选择来实现的。如果输入信号是正的，则输出与输入相同；如果输入信号是负的...
亚阈值斜率S也称亚阈值摆幅，其定义为亚阈值区漏端电流增加一个数量级所需要增...亚阈值斜率S也称亚阈值摆幅，其定义为亚阈值区漏端电流增加一个数量级所需要增大的栅电压，反映了电流从关态到开态的转换陡直度，具体对应于采用半对数坐标的器件...
