当输入端3.3V为低电平时，D1导通，输出端1.8V为低电平，实现两端都为低电平。当...当输入端3.3V为低电平时，D1导通，输出端1.8V为低电平，实现两端都为低电平。当输入端3.3V为高电平时，D1截止，输出端被R1上拉至1.8V，为高电平，实现两端都为高电...
KNF3725A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流50A，采用独家平面技术制造，极低...KNF3725A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流50A，采用独家平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 45mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损耗，...
TO263：尺寸约10.16mm×9.40mm×4.57mm，通常有5个引脚（3主2辅），支持复杂电...TO263：尺寸约10.16mm×9.40mm×4.57mm，通常有5个引脚（3主2辅），支持复杂电路设计。
电压跟随器是一种电压增益为1的运算放大器电路。这意味着运算放大器不会对信号...电压跟随器是一种电压增益为1的运算放大器电路。这意味着运算放大器不会对信号进行任何放大。之所以称为电压跟随器，是因为输出电压直接跟随输入电压，即输出电压...
7n65场效应管代换型号KND4665B漏源击穿电压为650V，漏极电流7A，能够承受较大的...7n65场效应管代换型号KND4665B漏源击穿电压为650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及具备良好的导电性能；极低导通电阻RDS(开启) 1.1Ω，最大限度地减少导电...
