KCY3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电...KCY3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，极低的开关损耗，低RDS（开启）和FOM，最小化导通电阻，开...
当控制信号UA为高电平时，开关管VT1导通，输入电压施加到变压器初级绕组Np1，形...当控制信号UA为高电平时，开关管VT1导通，输入电压施加到变压器初级绕组Np1，形成初级电流Ip1。此时次级绕组Ns2感应出电压，使二极管 VD2导通，电流经滤波电感L向...
啸叫主要发生在MLCC和感性器件，在一些包含音频功能的产品如手机、运动相机中，...啸叫主要发生在MLCC和感性器件，在一些包含音频功能的产品如手机、运动相机中，啸叫会严重干扰产品的音频性能。一般而言，具备如下特征的电容和电路设计更容易产生...
高效开关电源专用MOS管KIA2N65HD漏源击穿电压60V，漏极电流230A；采用先进的平...高效开关电源专用MOS管KIA2N65HD漏源击穿电压60V，漏极电流230A；采用先进的平面条纹DMOS技术，低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，低栅极电荷6.5nC，最小化导通电阻...
半桥网络：由两个MOS管（Q1、Q2）组成，交替导通。 谐振网络：包括谐振电感Lr...半桥网络：由两个MOS管（Q1、Q2）组成，交替导通。 谐振网络：包括谐振电感Lr、谐振电容Cr、励磁电感Lm（通常为变压器漏感与励磁电感组合）。 副边整流：通过变...
