已知UP由RV1和R4串联从+12V分压，图中把RV1的阻值调整到UP=0.5V，由于运放都具...已知UP由RV1和R4串联从+12V分压，图中把RV1的阻值调整到UP=0.5V，由于运放都具有虚短特性，当流过NMOS管Q1的电流大于1A时，R2两端电压大于0.5V，此时虚短特性发挥...
KNF6450A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流13A，专为高压、高速功率开关应用...KNF6450A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流13A，专为高压、高速功率开关应用设计，低导通电阻RDS(开启) 0.40Ω，低栅极电荷，最小化开关损耗，稳定可靠；快速...
当开关S1闭合时，电流经过S1、电感L1，向负载供电，流向电源的负极，供电的同时...当开关S1闭合时，电流经过S1、电感L1，向负载供电，流向电源的负极，供电的同时，也在给电感充电，由于D1二极管的单向导电性，此时二极管D1不会工作。
使用两个MOS管（一个PMOS和一个NMOS）构建，PMOS的源极接高电平，漏极接NMOS的...使用两个MOS管（一个PMOS和一个NMOS）构建，PMOS的源极接高电平，漏极接NMOS的漏极，NMOS的源极接地。当电源正向供电时，PMOS导通，NMOS截止；反向时，PMOS截止，...
KNM48150A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流9A，采用先进的沟槽技术制造，低...KNM48150A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流9A，采用先进的沟槽技术制造，低导通电阻RDS(开启) 2.8Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低...
