这个电路主要用到了一个电容的充电回路，这里需要引入一个时间常数，如果刚给电...这个电路主要用到了一个电容的充电回路，这里需要引入一个时间常数，如果刚给电路通上电，并且按下左面的开关，那么电流会通过R1和R2和按钮开关给电容充电，这个充...
一般在判断好坏的时候先对MOS管放电，放电的目的就是使G极（栅极）和S极（源极...一般在判断好坏的时候先对MOS管放电，放电的目的就是使G极（栅极）和S极（源极）电位相同，放电直接在G极和S极之间用导线短接一下就可以了，也可以串接个电阻。
频率：300 MHz 额定电压(DC)：160 V 额定电流：600 mA 耗散功率：350 mW 击...频率：300 MHz 额定电压(DC)：160 V 额定电流：600 mA 耗散功率：350 mW 击穿电压(集电极-发射极)：160 V
漏极电流（ID）：3 A 漏-源极电压（VDSS）：20 V 漏-源极通态电阻（RDS(on)）...漏极电流（ID）：3 A 漏-源极电压（VDSS）：20 V 漏-源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω 耗散功率（PD）：1.25 W 封装：SOT-23
MOSFET属于单极性器件。MOS管，金属氧化物氧化物场效应晶体管（Metal Oxide Se...MOSFET属于单极性器件。MOS管，金属氧化物氧化物场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor FET，简称MOS-FET，是应用场效应原理工作的半导体器件，属于电压控制型...
