KIA4603AE场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流7A，采用先进的高密度沟槽加工技术...KIA4603AE场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流7A，采用先进的高密度沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 14.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，高效低耗；低栅...
当用手触及电极“1”时，人体的感应信号经过V3放大后，使V1导通，V1集电极为低...当用手触及电极“1”时，人体的感应信号经过V3放大后，使V1导通，V1集电极为低电平，V4的基极也为低电平，故V4截止，其集电极为高电平，V5的基极也为高电平，故V5...
MOS管Q2，用于将按键电平VIN，转换为单片机的电压轨3.3V，防止VIN烧毁单片机的...MOS管Q2，用于将按键电平VIN，转换为单片机的电压轨3.3V，防止VIN烧毁单片机的I/O。单片机读取KEY_ON引脚的电平，就可以得到按键状态。Q2可以用三极管代替，但三极...
KNP2803S场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极...KNP2803S场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导通损耗；低栅极电荷、低反向传输电...
如图所示，用12V直流电给变压器初级绕组供电，MOS管Q1控制初级绕组的通断。稳压...如图所示，用12V直流电给变压器初级绕组供电，MOS管Q1控制初级绕组的通断。稳压管D3和R3用于保护MOS管（出入端有大电压时，稳压管发生齐纳击穿，将能量快速传递到...
