碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高...碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。碳化硅器件有更耐高压，在开关频率、散热能力...
在环路设计时，Loop1、2、3的环路面积要尽量小，在Loop1中，走线还应尽量粗以优...在环路设计时，Loop1、2、3的环路面积要尽量小，在Loop1中，走线还应尽量粗以优化效率，在Loop3中，VDD电容C3应紧贴芯片。 在GND走线设计时，辅助绕组应直接连接...
设计补偿部分，先确定目标带宽，然后再设计补偿部分，使在目标带宽时的相位裕量...设计补偿部分，先确定目标带宽，然后再设计补偿部分，使在目标带宽时的相位裕量大于45°，幅值裕度不管用上面哪种补偿方式都是自动满足的，所以设计时一般不用特别...
左图为MOS管驱动电路相关波形的示意图（电流不连续模式DCM），其中Uin对应上图...左图为MOS管驱动电路相关波形的示意图（电流不连续模式DCM），其中Uin对应上图的V1，Ugs对应上图A点电压波形。右图是某反激开关电源实测波形，仅体现了初级绕组电...
DCM和CCM的判断，并非只是单纯按照初级电流是否连续来进行判断，而是要根据初，...DCM和CCM的判断，并非只是单纯按照初级电流是否连续来进行判断，而是要根据初，次级的电流合成来判断的。只要初，次级电流不是同时为零，那就是CCM模式。二如果存...
