MOSFET的关断时间与其栅极电容（Cgs）有关。减小栅极电容可以减少充放电时间，...MOSFET的关断时间与其栅极电容（Cgs）有关。减小栅极电容可以减少充放电时间，从而加速关断过程。这可以通过优化布局、使用更小的栅极面积或选择具有更低栅极电容...
提高驱动电路提供的栅极驱动电压和电流，增大驱动强度可以加速MOSFET的开启和关...提高驱动电路提供的栅极驱动电压和电流，增大驱动强度可以加速MOSFET的开启和关断过程。减小栅极驱动电阻Rg可以提供更大的瞬态电流，从而加快MOSFET的开关速度。而...
KNF4390A采用专有新型平面技术，漏源击穿电压900V，漏极电流4A，能够承受高达9...KNF4390A采用专有新型平面技术，漏源击穿电压900V，漏极电流4A，能够承受高达900伏特的电压，适用于需要高耐压的应用场景，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低...
如果不太懂电源设计，又需要多路电源隔离输出，那么这个电路方案肯定能用的上，...如果不太懂电源设计，又需要多路电源隔离输出，那么这个电路方案肯定能用的上，调试简单，拓扑也简单，绕变压器不需要算气隙，直接计算匝数就可以了，简单实用。实...
.在布局之前首先需要查找对应的电源IC手册，一般芯片手册里面会包含有最基本的....在布局之前首先需要查找对应的电源IC手册，一般芯片手册里面会包含有最基本的电源电压电流信息和管脚信息，以及layout guide，如果存在layout guide则按照里面的...
