在图2中，用一个P沟道MOSFET代替图1中的二极管VD2。切换到电池时，MOSFET导通，...在图2中，用一个P沟道MOSFET代替图1中的二极管VD2。切换到电池时，MOSFET导通，电池向负载供电。接入交流适配器时，MOSFET的栅极电压高于其源极电压，处于关断状态...
KNY3403B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用改进的工艺和单元结构特别...KNY3403B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用改进的工艺和单元结构特别定制，低导通电阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开...
VIN引脚作为电池充电的输入电源，其工作电压范围为5V至18V。 CS引脚是TP5100的...VIN引脚作为电池充电的输入电源，其工作电压范围为5V至18V。 CS引脚是TP5100的充电功能使能引脚。通过控制其逻辑电平，工程师可以调整锂电池的充电电压。通常，该...
在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，PN结中间的部位（P...在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，PN结中间的部位（P区和N区交界面）会产生一个很薄的电荷区，这就是空间电荷区。
KNY3303A场效应管采用先进的平面条形DMOS技术生产，漏源击穿电压30V，漏极电流...KNY3303A场效应管采用先进的平面条形DMOS技术生产，漏源击穿电压30V，漏极电流90A，低导通电阻RDS(on)=3.1mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关...
