3n150场效应管代换型号KNL42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，导通电阻RDS(...3n150场效应管代换型号KNL42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，导通电阻RDS(on)=5.5Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高开关频率、低...
下图为反相器的结构示意图，由一个PMOS和一个NMOS拼接而成； 当v=1时，T1截止...下图为反相器的结构示意图，由一个PMOS和一个NMOS拼接而成； 当v=1时，T1截止，T2导通，vo=0; 当v=0时，T1导通，T2截止，vo=1;
当PWM为1时，Q1实现导通，C端的电压为低，接着Q2的B端电压也为低，Q2导通； 这...当PWM为1时，Q1实现导通，C端的电压为低，接着Q2的B端电压也为低，Q2导通； 这时Q2的E端电压为14V，经过Q2、D2、R4以后MOS管G端大概为12V，Q管（MOS）导通。在这...
逆变器专用MOS管KIA2906AP漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(on...逆变器专用MOS管KIA2906AP漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(on)=5.5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高雪崩耐量，稳...
反向电流是指在二极管两端施加反向电压时流过的电流，通常称为反向饱和电流或漏...反向电流是指在二极管两端施加反向电压时流过的电流，通常称为反向饱和电流或漏电流。这种电流是由于少数载流子在二极管内部发生漂移运动而产生的。反向饱和电流的...
