当金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的沟道长度（L）缩减至与耗尽区宽度...当金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的沟道长度（L）缩减至与耗尽区宽度相近时，器件的电学特性，诸如阈值电压VT、亚阈值摆幅SS以及漏电流leakage current等...
KIA08TB60DP快恢复二极管开关特性好、反向恢复时间短，具有低正向电压、低漏电...KIA08TB60DP快恢复二极管开关特性好、反向恢复时间短，具有低正向电压、低漏电流、反向电压高达600V，正向电流：8A，正向电压：1.7V，降低导通损耗，反向漏电流：...
在充电过程中，当电池的电压超过4.35v时，专用集成电路S-8261的CO脚输出信号使...在充电过程中，当电池的电压超过4.35v时，专用集成电路S-8261的CO脚输出信号使充电控制Q5截止，锂电池立即停止充电，从而防止锂电池因过充电而损坏；放电过程中，...
开关管导通（Q闭合） 电流路径：Vin→电感L→开关管Q→地。 此时电感L中有电...开关管导通（Q闭合） 电流路径：Vin→电感L→开关管Q→地。 此时电感L中有电流流过，快速储存能量（弹簧被压缩），电感两端产生“左正右负”的电压，电流越来越...
KIA20N50HM场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，专为高压、高速功率开关应...KIA20N50HM场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，专为高压、高速功率开关应用设计，低导通电阻RDS(on)0.21Ω，低栅极电荷70nC，降低功率损耗，提高系统效率；...
