RC充电的通用公式： Vt=V0+(V1-V0) *[1-exp(-t/RC)] Vt：t时刻电容电压（单位...RC充电的通用公式： Vt=V0+(V1-V0) *[1-exp(-t/RC)] Vt：t时刻电容电压（单位：伏特V）。 V0：充电初始电压（单位：伏特V）。 V1：充电最终电压（单位：伏特V...
KND3706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用先进的高密度沟槽技术制造...KND3706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用先进的高密度沟槽技术制造，为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS（导通）和栅极电荷性能。具有极低导通电...
当主功率放大器的输出端直流电压为0V时，VT1管因为没有偏置电压而截止；VT2管发...当主功率放大器的输出端直流电压为0V时，VT1管因为没有偏置电压而截止；VT2管发射极和基极电压都为0V，VT2管截止；因为VT2管截止，VT3管基极电流没有回路，所以使...
电源类型：可分为电池供电（如锂电池）或电源适配器供电。电池供电时需配合充电...电源类型：可分为电池供电（如锂电池）或电源适配器供电。电池供电时需配合充电管理芯片，功放芯片多采用D类放大芯片以实现大音量输出。 电压稳定：部分电路通过...
KLM80R240B超结MOSFET是一种采用多层外延工艺的功率半导体器件，通过优化芯片结...KLM80R240B超结MOSFET是一种采用多层外延工艺的功率半导体器件，通过优化芯片结构实现低内阻、高抗浪涌能力和快速开关特性。80r240漏源击穿电压800V，漏极电流1...
