在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。...在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。
KIA设计生产的超结场效应管用先进的耐压原理和优化的设计结构，全新600~900V系...KIA设计生产的超结场效应管用先进的耐压原理和优化的设计结构，全新600~900V系列产品为系统应用提供充足的耐压余量，简化系统设计难度，提高系统可靠性，满足客户...
放大器的建立时间是当运输入为阶跃信号时，运放的输出响应进入并保持在规定误差...放大器的建立时间是当运输入为阶跃信号时，运放的输出响应进入并保持在规定误差带所需的时间。
大致可以根据防反接保护器件分为电阻，二极管，电阻||二极管，NMOS 和 PMOS 几...大致可以根据防反接保护器件分为电阻，二极管，电阻||二极管，NMOS 和 PMOS 几种类型，而根据防反接保护电路的位置，又可以分为 VCC 端和 GND 端。
超结MOS管KCX6265A是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过...超结MOS管KCX6265A是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下...
