KIA60R380功率MOSFET采用KIA先进的超级结技术生产。该先进技术经过特别定制，可...KIA60R380功率MOSFET采用KIA先进的超级结技术生产。该先进技术经过特别定制，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。...
运放的输入偏置电流 Ib 和输入失调电流 Ios，众说周知，理想运放是没有输入偏置...运放的输入偏置电流 Ib 和输入失调电流 Ios，众说周知，理想运放是没有输入偏置电流 Ib 和输入失调电流 Ios 的。但每一颗实际运放都会有输入偏置电流 Ib 和输入失...
运放的输入共模电容 Ccm 和差模电容 Cdiff 会形成运放的输入电容 Cin。在许多应...运放的输入共模电容 Ccm 和差模电容 Cdiff 会形成运放的输入电容 Cin。在许多应用中，运算放大器的输入电容都不会造成问题。但在某些应用中会引起放大电路的不稳定...
KIA65R700超结场效应管650V7A，减少传导损耗，提供卓越的开关性能优异，可在雪...KIA65R700超结场效应管650V7A，减少传导损耗，提供卓越的开关性能优异，可在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合于交流/直流功率转换的开关模式操作，...
（1）由于 VBAT 端要提供负载的工作电流，因此，要求 PMOS 管的导通内阻比 NMO...（1）由于 VBAT 端要提供负载的工作电流，因此，要求 PMOS 管的导通内阻比 NMOS 管要更小。一般来说，导通内阻越小，其 Gate 端的结电容就越大，所以 PMOS 管的开...
