MOS在逆变器应用主要为前级升压和后级逆变两部分。前级升压将电池电压升至高压...MOS在逆变器应用主要为前级升压和后级逆变两部分。前级升压将电池电压升至高压，后级逆变将高压逆变成交流电。
KIA20N40H功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进的技术经...KIA20N40H功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能和换向模式。这些器件非...
光刻步骤类似于图案绘制的过程。而半导体的生产制造，可以理解为是重复的堆叠和...光刻步骤类似于图案绘制的过程。而半导体的生产制造，可以理解为是重复的堆叠和切割。利用光刻工艺，在想要切割的位置绘制图案。
当Vg从0V开始上升的时候，p衬底中的多子空穴会被赶离栅区从而留下负电荷（空穴...当Vg从0V开始上升的时候，p衬底中的多子空穴会被赶离栅区从而留下负电荷（空穴无法移动，实际上是电子的移动，电子从衬底被抽取上来，与p型半导体中的受主杂质例如...
衬底偏置效应，就是当衬底（body/substrate）和源（source）之间的电势差Vbs不...衬底偏置效应，就是当衬底（body/substrate）和源（source）之间的电势差Vbs不为零的时候，所产生的一些效应的统称。
