KIA半导体生产的KIA740H热销于逆变器后级电路应用中，优质高效；KIA740H N沟道...KIA半导体生产的KIA740H热销于逆变器后级电路应用中，优质高效；KIA740H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换...
充电开始时，应先检测待充电电池的电压，如果电压低于3V，要先进行预充电，充电...充电开始时，应先检测待充电电池的电压，如果电压低于3V，要先进行预充电，充电电流为设定电流 的1/10，一般选0.05C左右。电压升到3V后，进入标准充电过程。
普遍来说，最高效的方式开始都是恒流充电（充电速度较快)，然后是恒压充电（充...普遍来说，最高效的方式开始都是恒流充电（充电速度较快)，然后是恒压充电（充电速度下来了，因为电池本身的电压上去了)，最后是涓流充电（在充满电后，补偿因自放...
KNH8150A 30A 500V产品特征 先进的平面加工技术 RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10...KNH8150A 30A 500V产品特征 先进的平面加工技术 RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低栅极电荷使开关损耗最小化 坚固的多晶硅栅极工艺
1.如果使用过温保护功能R3为悬空(不焊接)状态。同时需要把RNTC以及R4焊接上。 ...1.如果使用过温保护功能R3为悬空(不焊接)状态。同时需要把RNTC以及R4焊接上。 2.如果不使用过温保护，R3接入1k左右电阻，同时RNTC、R4为悬空状态。
