下图所示的放大器采用背靠背二极管来为器件提供ESD保护，采用3.3 V电源供电时，...下图所示的放大器采用背靠背二极管来为器件提供ESD保护，采用3.3 V电源供电时，其允许电压最高达到70 V。D4和D5是高压二极管，用于应对输入引脚上可能存在的高电压...
锂电池保护MOS管热销-KNX2912A，采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(导通)、低...锂电池保护MOS管热销-KNX2912A，采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(导通)、低栅极电荷。可用于多种应用。
下图是一个放大器实例，二极管连接在输入引脚和电源之间。在正常工作条件下，二...下图是一个放大器实例，二极管连接在输入引脚和电源之间。在正常工作条件下，二极管反偏，但当输入高于正电源电压或低于负电源电压时，二极管变为正偏。当二极管变...
运放的内部防护主要分为三类 1）运放输入端接了二极管防护-A类（如下图2图）...运放的内部防护主要分为三类 1）运放输入端接了二极管防护-A类（如下图2图） 2）运放没有任何的防护措施-B类 3）运放输入端在接保护电阻的同时还串联了电阻-...
KCX3010A N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟道降低导通损耗、提高开关性能...KCX3010A N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟道降低导通损耗、提高开关性能和增强雪崩能量。这是适用于电机驱动器和高速开关应用的设备。
