沟道内的电子就是NMOS导电的关键，只要VD>VS，电子从S流向D，电流就会从D流向S...沟道内的电子就是NMOS导电的关键，只要VD>VS，电子从S流向D，电流就会从D流向S。
在设计开发无刷电机的应用电路，较为经典的电路设计是选用MOS管的H桥方案，因为...在设计开发无刷电机的应用电路，较为经典的电路设计是选用MOS管的H桥方案，因为H桥方案最大的特点通过4个MOS管，就可以实现无刷电机的正转与反转、速度调节的控制...
1.**设备开启时，**按下按键“KEY”，此时mos管导通，漏极变成5V，整个系统供电...1.**设备开启时，**按下按键“KEY”，此时mos管导通，漏极变成5V，整个系统供电，MCU正常工作，并检查“KEY1”引脚电平，当为低电平时，可在程序中加入延时，而后...
（1）导通FET是负载开关的主要元件，它决定了负载开关可处理的最大输入电压和最...（1）导通FET是负载开关的主要元件，它决定了负载开关可处理的最大输入电压和最大负载电流。负载开关的导通电阻是导通FET的特性，将用于计算负载开关的功耗。导通...
典型的负载开关系统应用如下。包括一个电源和多个需要不同负载电流的负载。系统...典型的负载开关系统应用如下。包括一个电源和多个需要不同负载电流的负载。系统必须通过多个电源开关独立控制这些负载，包括打开时间、打开的速度等。该电源开关可...
