SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更...SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于 SiC 功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密...
中间两层管子L=0.3um，其余放大电路管子L=0.2um。这样做是因为考虑到共源共栅电...中间两层管子L=0.3um，其余放大电路管子L=0.2um。这样做是因为考虑到共源共栅电路的放大倍数很大，即使选择L很小依然满足放大要求。而且这样一来可以尽可能的减小...
通常，最小栅极电压（对于5V正逻辑）在0.5V至1V之间。那些高于最大阈值的栅极电...通常，最小栅极电压（对于5V正逻辑）在0.5V至1V之间。那些高于最大阈值的栅极电压会导通MOSFET。在最小栅极电压的最高点和最大栅极电压的最低点之间的电压可能让M...
如果电阻抗Z=电阻R+电抗C一样，热阻抗Zth=热阻Rth+热容Cth；同理，电子领域的电...如果电阻抗Z=电阻R+电抗C一样，热阻抗Zth=热阻Rth+热容Cth；同理，电子领域的电流就等同于热领域中的元件功率；电压值也可以等效为温度值。
高温反偏测试主要用于验证长期稳定情况下芯片的漏电流，考验对象是MOSFET边缘结...高温反偏测试主要用于验证长期稳定情况下芯片的漏电流，考验对象是MOSFET边缘结构和钝化层的弱点或退化效应。
