SiC MOSFET的振荡分别发生在开通瞬态的电流上升阶段和电压下降阶段、以及关断瞬...SiC MOSFET的振荡分别发生在开通瞬态的电流上升阶段和电压下降阶段、以及关断瞬态的电压上升阶段和电流下降阶段这四处。
优化栅极驱动设计，正是在互相矛盾的要求中寻求一个平衡点，而这个平衡点就是开...优化栅极驱动设计，正是在互相矛盾的要求中寻求一个平衡点，而这个平衡点就是开关导通时漏极电流上升的速度和漏极电压下降速度相等这样一种波形，理想的驱动波形如...
电源正常接入，也就是电源没有正负反接，此时电源正常对负载供电。假设拿掉MOS...电源正常接入，也就是电源没有正负反接，此时电源正常对负载供电。假设拿掉MOS管g极的电阻R1，此时MOS管将不导通，但Vin可以通过MOS管的体二极管对负载进行供电。...
静电击穿有两种方式： 一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅...静电击穿有两种方式： 一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路； 二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，...
电阻R1，电容C2，双向二极管D2构成锯齿波发生器，接通 电源 后，C2经R1充电，当...电阻R1，电容C2，双向二极管D2构成锯齿波发生器，接通 电源 后，C2经R1充电，当C2的电压达到D2的击穿电压时，尖电流脉冲加到BG2的栅极，由于变压器的耦合作用，电...
