1、Ib大约为1mA左右 2、Vbe＞0.7V（因此设计时，需保证Vbe＞0.7V，这个是导通...1、Ib大约为1mA左右 2、Vbe＞0.7V（因此设计时，需保证Vbe＞0.7V，这个是导通条件）；但三极管导通时Vbe= 0.7V左右
压控：是指电压作为控制信号，理想状态下，对于MOS只要VGS的电压满足开启要求(...压控：是指电压作为控制信号，理想状态下，对于MOS只要VGS的电压满足开启要求(Vth)，MOS管就导通
NMOS当下管，即S极（源极）直接接地，只需控制G极（栅极）电压即可控制NMOS管的...NMOS当下管，即S极（源极）直接接地，只需控制G极（栅极）电压即可控制NMOS管的导通或截止，因为MOS管导通的条件取决于VGS的压差。
KIA半导体生产的KIA740H热销于逆变器后级电路应用中，优质高效；KIA740H N沟道...KIA半导体生产的KIA740H热销于逆变器后级电路应用中，优质高效；KIA740H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换...
充电开始时，应先检测待充电电池的电压，如果电压低于3V，要先进行预充电，充电...充电开始时，应先检测待充电电池的电压，如果电压低于3V，要先进行预充电，充电电流为设定电流 的1/10，一般选0.05C左右。电压升到3V后，进入标准充电过程。
