1、当SDA1输出高电平时: MOS管Q1的Vgs = 0, MOS管关闭，SDA2被电阻R3.上拉到5V...1、当SDA1输出高电平时: MOS管Q1的Vgs = 0, MOS管关闭，SDA2被电阻R3.上拉到5V。
沟道内的电子就是NMOS导电的关键，只要VD>VS，电子从S流向D，电流就会从D流向S...沟道内的电子就是NMOS导电的关键，只要VD>VS，电子从S流向D，电流就会从D流向S。
在设计开发无刷电机的应用电路，较为经典的电路设计是选用MOS管的H桥方案，因为...在设计开发无刷电机的应用电路，较为经典的电路设计是选用MOS管的H桥方案，因为H桥方案最大的特点通过4个MOS管，就可以实现无刷电机的正转与反转、速度调节的控制...
1.**设备开启时，**按下按键“KEY”，此时mos管导通，漏极变成5V，整个系统供电...1.**设备开启时，**按下按键“KEY”，此时mos管导通，漏极变成5V，整个系统供电，MCU正常工作，并检查“KEY1”引脚电平，当为低电平时，可在程序中加入延时，而后...
（1）导通FET是负载开关的主要元件，它决定了负载开关可处理的最大输入电压和最...（1）导通FET是负载开关的主要元件，它决定了负载开关可处理的最大输入电压和最大负载电流。负载开关的导通电阻是导通FET的特性，将用于计算负载开关的功耗。导通...
