通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET,而MOSFET失效最多原因往往不是电流而是电...通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET,而MOSFET失效最多原因往往不是电流而是电压,这正是由于推挽变换器漏感所致。这就迫使设计师不得不降低变压器漏感,选用更高...
配置PWM互补输出的死区时间,本质上就是在配置TIM1高级控制定时器的刹车和死区...配置PWM互补输出的死区时间,本质上就是在配置TIM1高级控制定时器的刹车和死区寄存器(TIMx_BDTR)中的DTG[7:0](死区发生器设置)部分。
相对于PWM来说,死区时间是在PWM输出的这个时间,上下管都不会有输出,当然会使...相对于PWM来说,死区时间是在PWM输出的这个时间,上下管都不会有输出,当然会使波形输出中断,死区时间一般只占百分之几的周期。但是当PWM波本身占空比小时,空出...
上图所示,正常情况下或者说理想情况下,我们希望电源逐渐上升直到建立稳定的电...上图所示,正常情况下或者说理想情况下,我们希望电源逐渐上升直到建立稳定的电源域;但是实际上在某些情况下出现灰色框图中的问题,电源电压突然下降然后再次上升...
这种非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用MDmesh设计的™ K5技术基于创新的专有垂...这种非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用MDmesh设计的™ K5技术基于创新的专有垂直结构。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著...