KNP2915A TO-220 150V130A-描述： SGT MOSFET技术 先进的沟槽MOS技术 低栅极...KNP2915A TO-220 150V130A-描述： SGT MOSFET技术 先进的沟槽MOS技术 低栅极电荷 RDS低（ON）
方法一： dc扫描 AVDD 从-3扫到3V tools-result Brower-dcOpinfo-选定M0的Cg...方法一： dc扫描 AVDD 从-3扫到3V tools-result Brower-dcOpinfo-选定M0的Cgg
当MOSFET工作在开关状态时，随着VGS的通/断，MOSFET是在截止区和可变电阻区来回...当MOSFET工作在开关状态时，随着VGS的通/断，MOSFET是在截止区和可变电阻区来回切换的，在切换过程中可能会经过饱和区。
KIA3510A 75A 100V-特征 RDS（打开）=9mΩ（典型值）@VGS=10V 100%雪崩测试 ...KIA3510A 75A 100V-特征 RDS（打开）=9mΩ（典型值）@VGS=10V 100%雪崩测试 可靠且坚固 提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）
利用CMOS反相器为传输门的控制端提供一对互补的控制信号，这种电路结构实现了可...利用CMOS反相器为传输门的控制端提供一对互补的控制信号，这种电路结构实现了可控单刀单掷开关的功能，因而被称为双向模拟开关，图中符号EN端子称为模拟开关的控制...
