首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同...首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必减小，而其电阻增加。
Turn OFF 尖峰根据封装的不同而有差异。图是 SiC MOSFET 的代表性封装, (a)是被...Turn OFF 尖峰根据封装的不同而有差异。图是 SiC MOSFET 的代表性封装, (a)是被广泛采用的TO-247-3L，(b)是近几年渐渐扩大采用的用于驱动电路的源极端子（即所谓的...
图所示的缓冲电路是通过CSNB 吸收LTRACE 积蓄的能量。因此，在缓冲电路中形成的...图所示的缓冲电路是通过CSNB 吸收LTRACE 积蓄的能量。因此，在缓冲电路中形成的LSNB 必须比LTRACE 小。由于CSNB 中积蓄的能量基本不放电，静电容量越大电压尖峰抑...
RC 缓冲电路可在各开关元件附近能布局缓冲电路，不过，必须确保每次元件Turn O...RC 缓冲电路可在各开关元件附近能布局缓冲电路，不过，必须确保每次元件Turn ON 时CSNB 中积存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，当开关频率变高时，RSNB 所消耗的...
半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路，其设...半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路，其设计方法说明了漏极源极之间的电压尖峰是由于在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路...
