当电压通道和电流通道之间存在时间偏移时，测量结果明显偏高或偏低，而器件的开...当电压通道和电流通道之间存在时间偏移时，测量结果明显偏高或偏低，而器件的开关速度越快，偏移的影响就越明显。图1为MOS管的关断损耗测量原理图，由此可见，只有...
一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图1所示，主要的能量损耗体现在“导通...一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为...
下面的电路摘自实际LED照明电路的相关部分。该LED驱动电路是DC/DC转换器通过临...下面的电路摘自实际LED照明电路的相关部分。该LED驱动电路是DC/DC转换器通过临界模式（BCM）的PFC向LED供电的。
双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该...双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该测试不仅可以评估对象元件的开关特性，还可以评估体二极管和IGBT一同使用的快速恢复...
下图说明了如何使用 P 沟道MOSFET作为反向电压保护的电路连接。需要注意的是MO...下图说明了如何使用 P 沟道MOSFET作为反向电压保护的电路连接。需要注意的是MOSFET必须安装在电源端。其中漏极D必须连接到电池的正极，栅极必须连接到系统接地端。...
