寄生电感是SiC MOSFET的VDS峰值和振铃的主要成因。从关闭波形（图1）中看，栅源...寄生电感是SiC MOSFET的VDS峰值和振铃的主要成因。从关闭波形（图1）中看，栅源电压（VGS）从18V至0V。关闭时的漏极电流（ID）为50A，VDS为800V。SiC MOSFET的高开...
-4.1A-30V PMOS管 KIA3407产品介绍 KIA3407采用先进的沟槽技术，提供卓越的RD...-4.1A-30V PMOS管 KIA3407产品介绍 KIA3407采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（开）、低栅极。这款产品作负载开关或在脉宽调制应用中使用。KIA3407是一款标准产...
测试电源和电池需要电流负载，该电流负载能够吸收大电流并消耗大量功率。只需使...测试电源和电池需要电流负载，该电流负载能够吸收大电流并消耗大量功率。只需使用一个运算放大器和一个功率MOSFET就可以构建一个简单而准确的电流负载，如图1所示...
例如，一个反激式电源可分别从一个48V输入产生两个1 A的12V输出，如图1的简化仿...例如，一个反激式电源可分别从一个48V输入产生两个1 A的12V输出，如图1的简化仿真模型所示。理想的二极管模型具有零正向压降，电阻可忽略不计。变压器绕组电阻可忽...
运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温...运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂...
